| 发明名称 | 绝缘膜的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种形成绝缘膜的方法，它包括将低能量等离子体照射配置在电子器件用基片上的固化性材料含有膜，使所述固化性材料含有膜固化。该方法可以用于防止将过分的热加在该膜上，同时形成高质量的导电膜。 | ||
| 申请公布号 | CN1692478A | 申请公布日期 | 2005.11.02 |
| 申请号 | CN03812483.1 | 申请日期 | 2003.07.30 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 本乡俊明;星野聪彦 |
| 分类号 | H01L21/312;H01L21/768 | 主分类号 | H01L21/312 |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 1、一种绝缘膜形成方法，其特征为，对配置在电子器件用的基片上的固化性材料含有膜，进行低能量的等离子体照射，使该固化性材料含有膜固化。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||