| 发明名称 | 制造具有高介电常数栅极电介质的半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明描述了一种用于制造半导体器件的方法。该方法包括在衬底(100)上形成高k栅极电介质层(110)，然后在高k栅极电介质层上形成覆盖层(115)。在氧化覆盖层以在高k栅极电介质层上形成覆盖电介质氧化物(125)之后，在覆盖电介质氧化物上形成栅电极(120)。 | ||
| 申请公布号 | CN1692500A | 申请公布日期 | 2005.11.02 |
| 申请号 | CN200380100581.6 | 申请日期 | 2003.12.18 |
| 申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | 贾斯廷·布拉斯克;马克·多齐;约翰·巴纳科;罗伯特·周 |
| 分类号 | H01L29/51;H01L21/28;H01L21/336 | 主分类号 | H01L29/51 |
| 代理机构 | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 王安武 |
| 主权项 | 1.一种用于制造半导体器件的方法，包括：在衬底上形成高介电常数栅极电介质层；在所述高介电常数栅极电介质层上形成覆盖层；氧化所述覆盖层，以在所述高介电常数栅极电介质层上形成覆盖电介质氧化物；然后在所述覆盖电介质氧化物上形成栅电极。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||