压电性氧化物单晶之抑制带电处理方法及抑制带电处理装置

摘要

本发明系提供一种在无损害压电性之前提下，能够抑制钽酸锂单晶及铌酸锂单晶的带电之处理方法，以及能够易于实施该处理方法之处理装置。本发明之解决方式，系将由钽酸锂单晶或铌酸锂单晶制成之晶片50，及含有金属化合物之还原剂60收容至处理容器2中，将该处理容器2内部之压力降低，并且将其温度保持在200℃以上1000℃以下之状态，进行晶片还原处理。