| 主权项 |
1.一种晶圆级晶片尺寸封装的方法,包括下列步骤:提供一半导体晶圆,其形成有预定切割道,并且上述半导体晶圆具有一上表面以及一下表面;将一绝缘基板接合在上述半导体晶圆的上述下表面,上述绝缘基板的其中一表面具有当作接地线的第一导电层,用来黏附于上述半导体晶圆的上述下表面;在上述预定切割道的位置由上述半导体晶圆的上述上表面切割上述半导体晶圆、上述第一导电层、以及部分上述绝缘基板,以形成一沟槽;在上述半导体晶圆的上方形成一第二导电层,上述第二金属层亦延伸于上述沟槽的表面;以及选择性蚀刻上述第二导电层,使得上述第二导电层至少一侧经由上述沟槽与第一导电层连接。2.如申请专利范围第1项所述之晶圆级晶片尺寸封装的方法,其中上述第一导电层系一第一金属层,并且上述第二导电层系一第二金属层。3.如申请专利范围第1项所述之晶圆级晶片尺寸封装的方法,更包括下列步骤:形成与上述第二导电层连接的铜柱(Cu posts);在上述半导体晶圆的上方全面性地形成一封胶层,其露出上述铜柱的顶部;形成一与上述铜柱连接的焊球;以及由上述沟槽的相对位置进行切割步骤,以形成一封装晶片。4.如申请专利范围第3项所述之晶圆级晶片尺寸封装的方法,其中上述封胶层系环氧树脂材料。5.如申请专利范围第3项所述之晶圆级晶片尺寸封装的方法,其中上述切割步骤系由切割器完成。6.如申请专利范围第3项所述之晶圆级晶片尺寸封装的方法,更包括在上述焊球与上述铜柱之间形成一缓冲金属层。7.如申请专利范围第1项所述之晶圆级晶片尺寸封装的方法,更包括在形成第一导电层之前,从上述半导体晶圆的下表面施以研磨步骤,使得上述半导体晶圆的厚度变薄。8.如申请专利范围第1项所述之晶圆级晶片尺寸封装的方法,其中上述绝缘基板系玻璃基板。9.如申请专利范围第1项所述之晶圆级晶片尺寸封装的方法,其中上述绝缘基板系陶瓷基板。10.如申请专利范围第2项所述之晶圆级晶片尺寸封装的方法,其中上述第一金属层含有金(Au)或是金的合金。11.如申请专利范围第1项所述之晶圆级晶片尺寸封装的方法,其中上述沟槽系底部逐渐变细(taper)的沟槽。12.如申请专利范围第2项所述之晶圆级晶片尺寸封装的方法,其中上述第二金属层含有铜或是铜合金。13.如申请专利范围第1项所述之晶圆级晶片尺寸封装的方法,其中上述选择性蚀刻的步骤系与埠端重布步骤(redistribution)同时完成。14.如申请专利范围第2项所述之晶圆级晶片尺寸封装的方法,其中形成于上述绝缘基板的上述第一金属层系由溅镀法完成。15.如申请专利范围第2项所述之晶圆级晶片尺寸封装的方法,其中上述第二金属层系由溅镀法或是电化学镀层方式完成。16.如申请专利范围第1项所述之晶圆级晶片尺寸封装的方法,其中上述半导体晶圆与上述绝缘基板之接合步骤系采用热声法(thermal-sonic)完成。17.一种晶圆级晶片尺寸之封装元件,包括:一具有积体电路之半导体晶片,其具有一上表面与一下表面;一接地层,黏附于上述半导体晶片的下表面;一绝缘基板,黏附于上述第一导电层的表面;一导电层,至少形成于上述半导体晶片的侧壁而与上述接地层电性连接;以及一封胶层,形成于上述半导体晶片的上方,并且覆盖上述导电层。18.如申请专利范围第17项所述之晶圆级晶片尺寸之封装元件,一铜柱,镶嵌于上述封胶层之中;一焊球,位于上述封胶层的上方,并且藉由上述铜柱的顶部与上述导电电性连接。19.如申请专利范围第18项所述之晶圆级晶片尺寸之封装元件,更包括:一接合垫,形成于上述半导体晶片的上述上表面,其与上述积体电路电性导通;以及一保护层,形成于上述半导体晶片与上述接合垫的上方,并且具有一露出上述接合垫的开口。20.如申请专利范围第19项所述之晶圆级晶片尺寸之封装元件,其中上述保护层系由聚亚醯胺材料构成。21.如申请专利范围第19项所述之晶圆级晶片尺寸之封装元件,其中上述导电层与上述接合垫电性连接着。22.如申请专利范围第19项所述之晶圆级晶片尺寸之封装元件,其中上述接合垫系由金属铝或铝合金构成。23.如申请专利范围第17项所述之晶圆级晶片尺寸之封装元件,其中上述绝缘基板系玻璃基板。24.如申请专利范围第17项所述之晶圆级晶片尺寸之封装元件,其中上述绝缘基板系陶瓷基板。25.如申请专利范围第17项所述之晶圆级晶片尺寸之封装元件,其中上述接地层、导电层系由金属材料构成,并且上述封胶层系由高分子材料构成。26.如申请专利范围第25项所述之晶圆级晶片尺寸之封装元件,其中上述接地层含有金(Au)或是金的合金。27.如申请专利范围第25项所述之晶圆级晶片尺寸之封装元件,其中上述导电层系铜或是铜合金。28.如申请专利范围第25项所述之晶圆级晶片尺寸之封装元件,其中上述封胶层系由环氧树脂材料构成。29.如申请专利范围第18项所述之晶圆级晶片尺寸之封装元件,其中述铜柱与上述焊球之间更包括一金属缓冲层。30.一种晶圆级晶片尺寸之封装元件,上述封装元件系由下列步骤制造而得:提供一半导体晶圆,其形成有预定切割道,并且上述半导体晶圆具有一上表面以及一下表面;将一绝缘基板接合在上述半导体晶圆的上述下表面,上述绝缘基板的其中一表面具有当作接地线的第一导电层,用来黏附于上述半导体晶圆的上述下表面;在上述预定切割道的位置由上述半导体晶圆的上述上表面切割上述半导体晶圆、上述第一导电层、以及部分上述绝缘基板,以形成一沟槽;在上述半导体晶圆的上方形成一第二导电层,上述第二金属层亦延伸于上述沟槽的表面;以及选择性蚀刻上述第二导电层,使得上述第二导电层至少一侧经由上述沟槽与第一导电层连接。图式简单说明:第1图系根据本发明实施例之半导体晶圆上视图。第2~10图系根据本发明之实施例之晶圆级晶片尺寸封装的制程剖面示意图。 |
