| 主权项 |
1.一种半导体晶圆用热处理工模,乃属于将半导体晶圆搭载在其上面进行热处理之圆板形的热处理工模,其特征为:圆板形的直径系由所搭载之半导体晶圆的直径的60%以上所形成,其厚度为1.0mm以上、10mm以下,与前记半导体晶圆接触的面的表面粗度(Ra値)为0.1m以上、100m以下,其平坦度系在同心圆方向的平坦度为0.1mm以下,且在直径方向的平坦度为0.2mm以下。2.如申请专利范围第1项所记载的半导体晶圆用热处理工模,其中,与前记半导体晶圆接触之面的直径,系为其半导体晶圆之直径的60%以上。3.如申请专利范围第1项所记载的半导体晶圆用热处理工模,其中,与前记半导体晶圆接触的面为环形,其外径系为前记半导体晶圆之直径的60%以上。4.如申请专利范围第1项至第3项所记载的半导体晶圆用热处理工模,其中,在与前记半导体晶圆接触的面,设置复数凸部区域,针对中心做点对称配置。5.如申请专利范围第4项所记载的半导体晶圆用热处理工模,其中,前记复数凸部区域的平面形状,系直径为5.0mm以上、30.0mm以下的圆形。6.如申请专利范围第1项至第3项所记载的半导体晶圆用热处理工模,其中,基材材料是由含矽的矽碳化物、矽碳化物、多孔质矽碳化物、石英、矽、石墨、以及透明碳的任一项所形成。7.如申请专利范围第6项所记载的半导体晶圆用热处理工模,其中,更在前记基材材料涂布膜厚为10m以上、150m以下的矽碳化物(SiC)。8.一种半导体晶圆用热处理工模,乃属于将半导体晶圆搭载在其上面进行热处理之圆板形的热处理工模,其特征为:圆板形之直径系为所搭载的半导体晶圆之直径的60%以上,其厚度为1.0mm以上、10mm以下,与前记半导体晶圆接触的面的表面粗度(Ra値)为0.05m以上、100m以下,将与前记半导体晶圆接触的表面分割为多数区域,在每一区域测定最大高度,各区域的最大高度和由前记测定値所求得的假设平均値面之差为50m以下。9.如申请专利范围第8项所记载的半导体晶圆用热处理工模,其中,与前记半导体晶圆接触之面的直径系为其半导体晶圆之直径的60%以上。10.如申请专利范围第8项所记载的半导体晶圆用热处理工模,其中,与前记半导体晶圆接触的面为环形,其外径系为前记半导体晶圆之直径的60%以上。11.如申请专利范围第8项至第10项所记载的半导体晶圆用热处理工模,其中,基材材料是由含矽的矽碳化物、矽碳化物、多孔质矽碳化物、石英、矽、石墨、以及透明碳的任一种所形成。12.如申请专利范围第11项所记载的半导体晶圆用热处理工模,其中,更在前记基材材料涂布膜厚为10m以上、150m以下的矽碳化物(SiC)。图式简单说明:第1图系表示应用于纵型热处理炉的半导体晶圆用的热处理晶舟的构成例图。第2图系说明本发明之热处理工模的构成例图,(a)系表示平面图,(b)系表示正面断面图,(c)及(d)系表示于热处理工模设置圆锥状及球状的孔的正面断面图、以及(e)系表示在热处理工模设置环形的正面断面图。第3图系说明本发明之热处理工模之其它构成例的断面图。第4图系说明在本发明所规定的同心圆方向之平坦度及直径方向的平坦度的图。第5图系说明与本发明之半导体晶圆接触的面为环形的热处理工模的构成图,(a)系表示平面图,(b)系表示正面断面图。第6图系说明具有本发明之复数凸部区域的热处理工模的构成图,(a)系表示热处理工模的平面图,(b)系表示根据搭载半导体晶圆的X-X视野之正面断面图。第7图系说明在热处理工模表面设置凸部区域之顺序图,表示依(a)至(d)顺序。第8图系说明管理本发明之第二热处理工模所规定的多点平面度测定之各区域的最大高度和从测定値所求得的假设平均値面之差的方法图。 |
