发明名称 玻璃覆晶封装型态影像感测器之制造方法及其结构
摘要 一种玻璃覆晶封装型态影像感测器之制造方法,其系包含下列步骤,提供一透光基板,该透光基板系形成有复数个导电线路;覆晶接合复数个影像感测晶片于该透光基板,该些影像感测晶片之感测面系形成有复数个凸块,该些凸块系电性连接该些导电线路;形成一绝缘保护层于该透光基板之表面,该绝缘保护层覆盖该些影像感测晶片;形成复数个导通孔于该绝缘保护层,该些导通孔系连接该些导电线路;形成复数个外接垫于该绝缘保护层,该些外接垫系连接该些导通孔;再切割该透光基板与该绝缘保护层,以完成单颗覆晶封装型态影像感测器之封装。
申请公布号 TWI242819 申请公布日期 2005.11.01
申请号 TW092136313 申请日期 2003.12.19
申请人 南茂科技股份有限公司;百慕达南茂科技股份有限公司 CHIPMOS TECHNOLOGIES (BERMUDA)., LTD. 英属百慕达 发明人 赵永清;刘安鸿;李耀荣
分类号 H01L21/56;H01L27/146 主分类号 H01L21/56
代理机构 代理人 张启威 高雄市鼓山区龙胜路68号
主权项 1.一种玻璃覆晶封装型态影像感测器之制造方法, 包含: 提供一透光基板,该透光基板系包含有复数个基板 单元,该透光基板系具有一表面,该表面系形成有 复数个导电线路; 覆晶接合复数个影像感测晶片于该透光基板,每一 影像感测晶片系具有一感测面及一背面,该些影像 感测晶片之感测面系形成有复数个凸块,该些凸块 系电性连接该些导电线路; 形成一绝缘保护层于该透光基板之表面,该绝缘保 护层系覆盖该些影像感测晶片之背面; 形成复数个导通孔于该绝缘保护层内,该些导通孔 系连接该些导电线路;及 形成复数个外接垫于该绝缘保护层上,该些外接垫 系连接该些导通孔。 2.如申请专利范围第1项所述之玻璃覆晶封装型态 影像感测器之制造方法,其中在形成该些外接垫之 步骤之中,其系包含: 形成一金属层于该绝缘保护层,该金属层系全面覆 盖该绝缘保护层;及 蚀刻该金属层,以形成该些外接垫。 3.如申请专利范围第2项所述之玻璃覆晶封装型态 影像感测器之制造方法,其中形成该金属层之方法 系选自于由溅镀、蒸镀及无电电镀所组成之族群 中之一种方法。 4.如申请专利范围第2项所述之玻璃覆晶封装型态 影像感测器之制造方法,其中该金属层系填充该些 导通孔。 5.如申请专利范围第1项所述之玻璃覆晶封装型态 影像感测器之制造方法,其中在覆晶接合该些影像 感测晶片之步骤之中,一密封胶涂布于该些基板单 元之周边,并对应该些影像感测晶片之感测面周边 ,以密封该些影像感测晶片之感测面。 6.如申请专利范围第5项所述之玻璃覆晶封装型态 影像感测器之制造方法,其中该密封胶系为异方性 导电胶[Anisotropic Conductive Paste,ACP]。 7.如申请专利范围第5项所述之玻璃覆晶封装型态 影像感测器之制造方法,其中该密封胶系为光感固 化胶[Photocurable Paste]。 8.如申请专利范围第1项所述之玻璃覆晶封装型态 影像感测器之制造方法,其中形成该绝缘保护层之 方法系选自于由印刷及旋转涂布(Spin Coating]所组 成之族群中之一种方法。 9.如申请专利范围第1项所述之玻璃覆晶封装型态 影像感测器之制造方法,其中在形成该些导通孔之 步骤之中,该些导通孔系以雷射钻孔形成。 10.如申请专利范围第1项所述之玻璃覆晶封装型态 影像感测器之制造方法,其另包含有研磨该绝缘保 护层。 11.如申请专利范围第10项所述之玻璃覆晶封装型 态影像感测器之制造方法,其中该绝缘保护层之平 坦度(Flatness)系不大于5m。 12.如申请专利范围第1项所述之玻璃覆晶封装型态 影像感测器之制造方法,其另包含有切割该透光基 板与该绝缘保护层。 13.如申请专利范围第1项所述之玻璃覆晶封装型态 影像感测器之制造方法,其中该些基板单元之尺寸 系不大于该些影像感测晶片之尺寸之1.5倍。 14.如申请专利范围第1项所述之玻璃覆晶封装型态 影像感测器之制造方法,其中该绝缘保护层之厚度 系大于该些影像感测晶片之厚度。 15.如申请专利范围第1项所述之玻璃覆晶封装型态 影像感测器之制造方法,其中该绝缘保护层系为一 透明胶[Clear Compound]。 16.如申请专利范围第1项所述之玻璃覆晶封装型态 影像感测器之制造方法,其中该透光基板系为晶圆 型态。 17.如申请专利范围第1项所述之玻璃覆晶封装型态 影像感测器之制造方法,其中该透光基板系选自于 由透光玻璃及红外线滤光镜片(IR Filter)所组成之 族群中之一。 18.一种覆晶封装型态影像感测器,包含: 一透光基板,其系具有一表面,该表面系形成有复 数个导电线路; 一影像感测晶片,其系覆晶接合于该透光基板,该 影像感测晶片系具有一感测面及一背面,该影像感 测晶片之感测面系形成有复数个凸块,该些凸块系 电性连接该些导电线路; 一绝缘保护层,其系形成于该透光基板之表面,该 绝缘保护层系覆盖该影像感测晶片之背面; 复数个导通孔,其系形成于该绝缘保护层内,该些 导通孔系连接该些导电线路;及 复数个外接垫,其系形成于该绝缘保护层上,该些 外接垫系连接该些导通孔。 19.如申请专利范围第18项所述之覆晶封装型态影 像感测器,其另包含有一密封胶,其系涂布于该透 光基板之周边,并对应该影像感测晶片之感测面周 边,以密封该影像感测晶片之感测面。 20.如申请专利范围第19项所述之覆晶封装型态影 像感测器,其中该密封胶系为异方性导电胶[ Anisotropic Conductive Paste,ACP]。 21.如申请专利范围第19项所述之覆晶封装型态影 像感测器,其中该密封胶系光感固化胶[Photocurable Paste]。 22.如申请专利范围第18项所述之覆晶封装型态影 像感测器,其中该绝缘保护层之形成方法系选自于 由印刷及旋转涂布[Spin Coating]所组成之族群中之 一种方法。 23.如申请专利范围第18项所述之覆晶封装型态影 像感测器,其中该绝缘保护层之平坦度[Flatness]系 不大于5m。 24.如申请专利范围第18项所述之覆晶封装型态影 像感测器,其中该绝缘保护层之厚度系大于该影像 感测晶片之厚度。 25.如申请专利范围第18项所述之覆晶封装型态影 像感测器,其中该些外接垫系以先形成一金属层, 该金属层再经一蚀刻制程以形成该些外接垫。 26.如申请专利范围第25项所述之覆晶封装型态影 像感测器,其中该金属层系选自于由溅镀、蒸镀及 无电电镀所组成之族群中之一种方法形成。 27.如申请专利范围第25项所述之覆晶封装型态影 像感测器,其中该金属层系填充该些导通孔。 28.如申请专利范围第18项所述之覆晶封装型态影 像感测器,其中该绝缘保护层系为一透明胶(Clear Compound]。 29.如申请专利范围第18项所述之覆晶封装型态影 像感测器,其中该些导通孔系以雷射钻孔形成。 30.如申请专利范围第18项所述之覆晶封装型态影 像感测器,其中该透光基板之尺寸系不大于该影像 感测晶片之尺寸之1.5倍。 31.如申请专利范围第18项所述之覆晶封装型态影 像感测器,其中该透光玻璃基板系选自于由透光玻 璃及红外线滤光镜片(IR Filter)所组成之族群中之 一。 图式简单说明: 第1图:依据本发明之第一具体实施例,一种玻璃覆 晶封装型态影像感测器之制造方法,一透光基板之 部分上视示意图; 第2A至2F图:依据本发明之第一具体实施例,一种玻 璃覆晶封装型态影像感测器之制造方法,该透光基 板在制造过程中之截面示意图; 第3图:依据本发明之第一具体实施例,一种玻璃覆 晶封装型态影像感测器之制造方法,在形成复数个 外接垫于一绝缘保护层之后,该些外接垫之部分上 视示意图;及 第4图:依据本发明之第一具体实施例,一种以弹性 簧片接触该玻璃覆晶封装型态影像感测器之结合 座之立体示意图。
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