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发明名称 METHOD FOR FORMING GATE ELECTRODE IN SEMICONDUCTOR DEVICE
摘要
申请公布号 KR100525087(B1) 申请公布日期 2005.11.01
申请号 KR19990048664 申请日期 1999.11.04
申请人 发明人
分类号 H01L21/28;(IPC1-7):H01L21/28 主分类号 H01L21/28
代理机构 代理人
主权项
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