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Die Erfindung betrifft eine elektrisch programmierbare Speicherzelle, die einen Speichertransistor (Ts) mit einer Source- und einer Drain-Zone (20, 30) sowie einer Speicherelektrode (41) und einer Steuerelektrode (44) und einen Auswahltransistor (Ta) mit einer Source- und einer Drain-Zone (60, 50) sowie einer Steuerelektrode (71) umfasst, wobei die Drain-Zonen (30, 50) des Speicher- und des Auswahltransistors elektrisch leitend miteinander verbunden sind. Die Drain-Zone des Auswahltransistors (Ta) umfasst dabei eine Anschlusszone (51) und eine schwächer als die Anschlusszone dotierte Zwischenzone, wobei die Zwischenzone (52) zwischen der Anschlusszone (51) und einer Kanalzone (14) des Auswahltransistors angeordnet ist und während des Programmiervorgangs zur Aufnahme einer Programmierspannung und damit zum Schutz einer Steuerelektroden-Isolationsschicht (70) des Auswahltransistors (Ta) dient.
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