| 发明名称 | 一种高分子点阵发光显示屏的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种高分子点阵发光显示屏的制备方法。本发明的方法包括如下步骤：(1)在衬底上制备出隔离墙；(2)在这种具有隔离墙的衬底基础上，直接采用溶液旋涂、印刷或喷涂的方法制备高分子薄膜；(3)在所制备的高分子薄膜上直接真空加热蒸镀金属电极，即制成了高分子点阵发光显示屏。与已有技术相比，本发明是在具有隔离墙衬底上用旋转涂覆和印刷方法制备均匀高分子薄膜，进而实现高分子点阵显示屏。这种工艺路线的优点是能够不用阴极模板，容易实现大面积高分辨率点阵显示屏。 | ||
| 申请公布号 | CN1688182A | 申请公布日期 | 2005.10.26 |
| 申请号 | CN200510033732.1 | 申请日期 | 2005.03.25 |
| 申请人 | 华南理工大学;信利半导体有限公司 | 发明人 | 彭俊彪;曹镛;韩绍虎;孟庆见 |
| 分类号 | H05B33/10;H05B33/14 | 主分类号 | H05B33/10 |
| 代理机构 | 广州粤高专利代理有限公司 | 代理人 | 何淑珍 |
| 主权项 | 1、一种高分子点阵发光显示屏的制备方法，其特征在于包括如下步骤：(1)在衬底上制备出隔离墙；隔离墙的底下是经过刻蚀的绝缘层薄膜，绝缘层薄膜的厚度为0.8～1.2微米；(2)在这种具有隔离墙的衬底基础上，直接采用溶液旋涂、印刷或喷涂的方法制备高分子薄膜；(3)在所制备的高分子薄膜上直接真空加热蒸镀金属电极，即制成了高分子点阵发光显示屏。 | ||
| 地址 | 510640广东省广州市天河区五山路381号 | ||