| 主权项 |
1.一种用以增加形成氧化层的平坦度之处理方法包含:提供一半导体结构;形成一多晶矽层于该半导体结构上;以化学机械研磨方式处理该多晶矽层;及形成一氧化层于该多晶矽层上。2.如申请专利范围第1项所述之处理方法,其中形成该氧化层步骤包含氧化该多晶矽层以形成该氧化层。3.如申请专利范围第1项所述之处理方法,其中形成该氧化层步骤包含以化学气相沉积形成该氧化层。4.如申请专利范围第1项所述之处理方法,其中形成该多晶矽层步骤包含以化学气相沉积形成该多晶矽层。5.一种用以增加电容元件的品质之处理方法包含:提供一半导体结构;形成一多晶矽层于该半导体结构上;以化学机械研磨方式处理该多晶矽层;形成一氧化层于该多晶矽层上;及沉积一电极材料于该氧化层上。6.如申请专利范围第5项所述之处理方法,其中形成该氧化层步骤包含氧化该多晶矽层以形成该氧化层。7.如申请专利范围第5项所述之处理方法,其中形成该氧化层步骤包含以化学气相沉积形成该氧化层。8.如申请专利范围第5项所述之处理方法,其中形成该多晶矽层步骤包含以化学气相沉积形成该多晶矽层。图式简单说明:第1A-1B图为根据本发明之处理一多晶矽层的部分剖面示意图。 |
