发明名称 Herstellungsverfahren für ein Stapelkondensatorfeld mit einer regelmäßigen Anordnung einer Mehrzahl von Stapelkondensatoren
摘要 Die vorliegende Erfindung schafft ein Verfahren zur Herstellung eines Stapelkondensatorfeldes (1), welches eine regelmäßige Anordnung einer Mehrzahl von Stapelkondensatoren (2) in bestimmten ersten Richtungen (3) einen geringeren Abstand zu dem jeweiligen angrenzenden Stapelkondensator (2) aufweist als in bestimmte zweite Richtungen (4), mit den Verfahrensschritten: Bereitstellen eines Hilfsschichtstapels (5) mit ersten Hilfsschichten (6) einer vorbestimmten Ätzrate und wenigstens einer zweiten Hilfsschicht (7) einer höheren Ätzrate auf einem Substrat (8); Ätzen jeweils eines Hohlzylinders (9) für jeden Stapelkondensator (2) durch den Hilfsschichtstapel (5) gemäß der regelmäßigen Anordnung, wobei in Zwischenbereichen (10) zwischen den Hohlzylindern (9) der Hilfsschichtstapel (5) bestehen bleibt; isotropes Ätzen der zweiten Hilfsschichten (7) zur Ausbildung von Ausweitungen (11) der Hohlzylinder (9), wobei jeweils zwischen zwei in der ersten Richtung (3) angrenzenden Hohlzylindern (9) keine zweite Hilfsschicht (7) bestehen bleibt und wobei jeweils zwischen zwei in der zweiten Richtung (4) angrenzenden Hohlzylindern (9) eine zweite Resthilfsschicht (7a) bestehen bleibt; konforme Abscheidung einer Isolatorschicht (12) zur vollständigen Füllung der Ausweitungen (11); Abscheiden einer ersten Elektrodenschicht (13) in die Hohlzylinder (9) zur Ausbildung der Stapelkondensatoren (2); Füllen der Hohlzylinder (9) mit einer ersten Füllung (14); Entfernen der ersten Hilfsschichten ...
申请公布号 DE102004021399(B3) 申请公布日期 2005.10.20
申请号 DE200410021399 申请日期 2004.04.30
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AG 发明人 SEIDL, HARALD;GUTSCHE, MARTIN ULRICH
分类号 H01L21/02;H01L21/822;H01L21/8242;H01L27/08;H01L27/108;(IPC1-7):H01L21/824 主分类号 H01L21/02
代理机构 代理人
主权项
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