可程式型电子开关

摘要

一种可程式型电子开关，主要是利用低漏电电容的分压特性，用以提供N型金属氧化硅场效电晶体(N－MOSFET，电子栅)的栅源启始电压，将电源电流泄漏至后端的电源转换电路；当此供应电力控制系统的电源转换电路达到启动电压时，再通过由寄生电源转换电路的高压产生电路，提供高于电源10V以开启电压，以将N－MOSFET完全开启；并透过微处理器的导入，以供使用者自行设定关闭条件，在关闭阶段，是由微处理器提供一关闭讯号，将横跨于N－MOSFET栅源两端的低漏电电容短路，以将电子开关关闭；而开关的开启及关闭时间，均可在十毫秒(10mS)中完成，且开启阻抗低至五毫欧姆(5mΩ)，关闭漏电流在零点二毫安培(200uA)以下。

主权项

1、一种可程式型电子开关，其特征在于，包括：一微处理器、一供应微处理器或其他低压电路所需的电压控制型转换器、一N型金属氧化硅场效电晶体、两低漏电电容C1及C2、一泄漏电阻R1、一低电流耦合开关、一触控开关及高压寄生电路；其中该微处理器连接电压控制型转换器、触控开关和低电流耦合开关的正极；该触控开关一端搭接至电源正端，另一端的一支通过电容C1连接到连接N型金属氧化硅场效电晶体的栅极，另一支连接到微处理器；N型金属氧化硅场效电晶体的源极搭接至电源正端；低漏电电容C2的两端分别连接N型金属氧化硅场效电晶体的栅极和漏极；泄漏电阻R1的两端分别连接低漏电电容C1的两端；高压寄生电路第一端接地，第二端连接在低漏电电容C1和触控开关之间；第三端连接N型金属氧化硅场效电晶体的漏极；第四端经电压控制型转换器连接到N型金属氧化硅场效电晶体的漏极；低电流耦合开关的集电极连接N型金属氧化硅场效电晶体的栅极，发射极连接N型金属氧化硅场效电晶体的漏极。