半导体装置的制造方法

摘要

半导体装置的制造方法本发明的目的在于：在氮化膜的成膜中减少氨气使用量，改善所获得的氮化膜的膜厚均一性，其实现方法是采用催化剂CVD法、用硅烷气体与氨气在衬底(1)上形成氮化硅膜的方法。在该方法中，让在硅烷气体与氨气中添加了氢气的气体(5)先接触催化剂(6)，然后供给到衬底上。成膜装置(20)中设有反应室(10)。反应室(10)的内部有保持衬底的衬底座(2)，以及催化剂(6)。反应室(10)的外部，设有储存硅烷气体、氨气与氢气的气罐(11～13)。并且，还设有连接气罐和反应室的气体配管(15)，以及将所述气体从气体配管供给到反应室内部的供给部(4。)在此制造装置中，使来自供给部的所述气体先接触催化剂，然后供给衬底，在衬底(1)上形成氮化硅膜。

主权项

1.一种用硅烷气体与氨气、用催化剂CVD法在衬底上形成氮化硅膜的半导体装置的制造方法；其特征在于：使在所述硅烷气体与氨气中，以0.5以下的氨气/氢气的流量比和20以下的氨气/硅烷气体的流量比，供给添加了氢气的气体、并与催化剂接触后，将硅烷气体、氨气、氢气、氦气、氮气中的至少一种气体用作冷却气体，将所述衬底冷却，并同时供给到所述衬底上。