发明名称 高温超导材料氧化镁单晶的生产方法和制备设备
摘要 本发明涉及一种高温超导材料氧化镁单晶的生产方法和制备设备,本发明的方法是通过以下步骤实现的:原料制作(1):制品处理(2);通过在周边使用MGO96%以上重质氧化镁材料,布设一层10-15cm的保温层的熔炼炉中熔炼,温度在3600度-4000度,时间在25小时-35小时(3);冷却结晶(4);分级处理(5);本发明的制备设备包括炉体(1),炉中(2),电极(3),炉车(4);还包括保温层(5);所述的保温层(5)布设在炉体(1)内;本发明的有益效果是:极大地提高大尺寸MGO单晶的产品质量和产量;在同等条件下,节约了原料,降低了电能的损耗。
申请公布号 CN1683607A 申请公布日期 2005.10.19
申请号 CN200410017659.4 申请日期 2004.04.14
申请人 上海祯吉电子新材料有限公司 发明人 王贵仁;穆卓艺
分类号 C30B29/16;C30B11/00;C01F5/02 主分类号 C30B29/16
代理机构 上海智信专利代理有限公司 代理人 薛琦
主权项 1.一种高温超导材料氧化镁单晶的生产方法,其特征在于:是通过以下步骤实现的:原料制作:矿石--粉碎--浮选--干燥--一次烧结(850度-970度)--粉碎--球团--干燥--二次锻烧(1600度)--冷却(1);制品处理:将原料投入熔炉内进行熔融(2);通过在周边使用MGO96%以上重质氧化镁材料,布设一层10-15CM的保温层的熔炼炉中熔炼,温度在3600度-4000度,时间在25小时-35小时(3);冷却结晶(4);分级处理(5)。
地址 201400上海市奉贤南桥镇跃进村358号