| 发明名称 | 氮化镓基肖特基势垒高度增强型紫外探测器及制作方法 | ||
| 摘要 | 一种氮化镓基肖特基势垒高度增强型紫外探测器，其中包括：一衬底；一高N型掺杂浓度层，该欧姆接触层制作在衬底上；一有源层，该有源层制作在高N型掺杂浓度层的上面，该有源层的面积小于欧姆接触层；一肖特基势垒高度增强层，该肖特基势垒高度增强层制作在有源层上；一N型肖特基接触电极，该肖特基电极制作在肖特基势垒高度增强层上；一N型欧姆接触电极，该N型欧姆接触电极制作在高N型掺杂浓度层上。 | ||
| 申请公布号 | CN1681135A | 申请公布日期 | 2005.10.12 |
| 申请号 | CN200410033587.2 | 申请日期 | 2004.04.07 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 赵德刚;杨辉 |
| 分类号 | H01L31/108;H01L31/18;G01J1/02 | 主分类号 | H01L31/108 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 1、一种氮化镓基肖特基势垒高度增强型紫外探测器，其特征在于，其中包括：一衬底；一高N型掺杂浓度层，该欧姆接触层制作在衬底上；一有源层，该有源层制作在高N型掺杂浓度层的上面，该有源层的面积小于欧姆接触层；一肖特基势垒高度增强层，该肖特基势垒高度增强层制作在有源层上；一N型肖特基接触电极，该肖特基电极制作在肖特基势垒高度增强层上；一N型欧姆接触电极，该N型欧姆接触电极制作在高N型掺杂浓度层上。 | ||
| 地址 | 100083北京市海淀区清华东路甲35号 | ||