| 主权项 |
1.一种电浆处理方法,系一边供给气体至真空室内,一边排气,且控制于预定之压力,同时将频率30MHz~3GHz之高频电力供给至与载置于该真空室内之基板电极之基板对向而设置的天线,藉此使该真空室内产生电浆,且处理形成于该基板上之高熔点金属膜者,又,亦将与前述频率不同之频率100kHz~20MHz之高频电力供给至该天线,藉此处理该基板。2.如申请专利范围第1项之电浆处理方法,其中前述高熔点金属膜系至少含有铱、铑、钌、铂、金、铜、铼、铋、锶、钡、锆、铅及铌其中之一元素之膜。3.如申请专利范围第1项之电浆处理方法,其系藉配置于前述天线和天线罩之间且与前述基板平行之面之表面积较前述天线还大的导电性片来确保前述天线和前述天线罩之间之热传导,且藉着使冷媒流至前述天线而一边控制前述天线之温度,一边处理前述基板,同时亦将与前述频率不同之前述频率100kHz-20MHz之前述高频电力供给至前述天线,藉此使前述罩之端部亦产生自给偏压电压,且处理前述基板者。4.如申请专利范围第3项之电浆处理方法,其中前述电浆处理系形成于前述基板上之前述高熔点金属膜的蚀刻处理。5.如申请专利范围第4项之电浆处理方法,其中前述高熔点金属膜系至少含有铱、铑、钌、钼、金、铜、铼、铋、锶、钡、锆、铅及铌其中之一元素之膜。6.一种电浆处理装置,包含有:真空室;气体供给装置,系用以供给气体至该真空室内者;排气装置,系用以排出该真空室内之气体者;调压阀,系用以将该真空室内控制于预定之压力者;基板电极,系用以于该真空室内载置基板者;天线,系与该基板电极对向而设置,且被绝缘体性之天线罩覆盖者;第1高频电源,系可将频率30MHz~3GHz之高频电力供给至该天线者;第2高频电源,系亦可将与前述频率不同之频率100kHz~20MHz之高频电力供给至该天线者;冷媒供给装置,系用以使冷媒流至该天线者;及导电性片,其与该基板平行之面之大小系较该天线还大,且系设于该天线和该天线罩之间者。7.如申请专利范围第6项之电浆处理装置,其中前述天线罩系由石英玻璃制成者。8.如申请专利范围第6项之电浆处理装置,其中前述天线罩系绝缘性矽。9.如申请专利范围第6项之电浆处理装置,其中前述天线罩之厚度系1mm~10mm。10.如申请专利范围第6项之电浆处理装置,其中前述导电性片系由电阻率10m以下之材质所构成者。11.如申请专利范围第6项之电浆处理装置,其中前述导电性片之厚度系0.03mm~3mm。12.一种电浆处理方法,系将基板载置于真空室内之基板电极,且一边供给气体至该真空室内,一边排出该真空室内之气体,且将该真空室内控制于预定之压力,同时将频率1MHz~60MHz之第1高频电力供给至形成与该基板电极对向而设置之线圈之一端的供电点,藉此使该真空室内产生感应耦合型电浆,且处理该基板或形成于该基板上之膜者,又,在藉由电容器而将该线圈之另一端接地的状态中,将频率较该第1高频电力低之第2高频电力供给至该线圈,且处理该基板。13.一种电浆处理方法,系将基板载置于真空室内之基板电极,且一边供给气体至该真空室内,一边排出该真空室内之气体,且将该真空室内控制于预定之压力,同时将频率1MHz~60MHz之第1高频电力供给至形成与该基板电极对向而设置之线圈之一端的供电点,藉此使该真空室内产生感应耦合型电浆,且处理该基板或形成于该基板上之膜者,又,将频率较该第1高频电力低之第2高频电力供给至设于该线圈之间隙之电极,且处理该基板。14.如申请专利范围第12项之电浆处理方法,其中前述电浆处理系形成于前述基板上之高熔点金属膜的蚀刻处理。15.如申请专利范围第14项之电浆处理方法,其中前述高熔点金属膜系至少含有铱、铑、钌、铂、金、铜、铼、铋、锶、钡、锆、铅及铌其中之一元素之膜。图式简单说明:第1图系显示本发明之第1实施形态中所用之电浆处理装置之构造的截面图。第2图系显示本发明之第2实施形态中所用之电浆处理装置之构造的截面图。第3图系显示习知例中所用之电浆处理装置之构造的截面图。第4图系显示本发明之第3实施形态中所用之电浆处理装置之构造的截面图。第5图系显示本发明之第4实施形态中所用之电浆处理装置之构造之透视状态的立体图。第6图系显示本发明之第5实施形态中所用之电浆处理装置之构造的截面图。第7图系显示本发明之第6实施形态中所用之电浆处理装置之构造之透视状态的立体图。第8图系显示本发明之第7实施形态中所用之电浆处理装置之构造之透视状态的立体图。第9图系显示本发明之第8实施形态中所用之电浆处理装置之构造的截面图。第10图系显示习知例中所用之电浆处理装置之构造的截面图。 |
