发明名称 | 基于负差分电阻(NDR)的存储器的强化读写方法 | ||
摘要 | 揭示了一种对存储器诸如使用负差分电阻(NDR)元件的STAM作强化读写的方法,这是通过选择性控制存储单元中有源元件的偏置实现的。例如在写操作中,将存储单元置于一中间态而增大写速。在一基于NDR的实施例中,实现方法是减低对NDR FET的偏置信号,以在写操作中弱化该NDR元件(因而禁止NDR作用)。反之,在读操作中,增高偏置信号以强化峰值电流(和NDR作用),从而对位线提供附加电流驱动。使用这类方法的诸实施例均实现了优异的峰谷电流比(PVR)、读/写速度等。 | ||
申请公布号 | CN1679113A | 申请公布日期 | 2005.10.05 |
申请号 | CN03820152.6 | 申请日期 | 2003.06.25 |
申请人 | 前进应用科学股份有限公司 | 发明人 | T·J·金 |
分类号 | G11C11/00 | 主分类号 | G11C11/00 |
代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 李玲 |
主权项 | 1.一种存储单元的操作方法,所述存储单元包括一负差分电阻(NDR)功能元件,其特征在于,包括以下步骤:(a)在存储单元存贮数据值的第一操作周期内,向NDR功能元件加一偏置信号,使NDR功能元件以NDR特性操作;其中调节所述NDR特性,以利于在第一存贮操作中将所述数据值存入存储单元;(b)在第二操作周期内调节所述偏置信号,以在与存储单元关联的第二操作之前和/或期间禁止所述NDR特性。 | ||
地址 | 美国加利福尼亚州 |