| 发明名称 |
USING AN MOS SELECT GATE FOR A PHASE CHANGE MEMORY |
| 摘要 |
An NMOS field effect transistor (22) may be utilized to drive the memory cell (16) of a phase change memory (10). As a result, the leakage current may be reduced dramatically.
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| 申请公布号 |
KR20050095827(A) |
申请公布日期 |
2005.10.04 |
| 申请号 |
KR20057010564 |
申请日期 |
2005.06.10 |
| 申请人 |
OVONYX, INC. |
发明人 |
GILL MANZUR;LOWREY TYLER A. |
| 分类号 |
G11C11/34;G11C16/02;G11C17/00;H01L27/115;H01L47/00;(IPC1-7):H01L27/115 |
主分类号 |
G11C11/34 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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