| 主权项 |
1.一种沟渠式闸介电层的形成方法,包括:提供一基底,且该基底中已形成有一沟渠;进行一原位蒸汽产生(in suit steam generation,ISSG)氧化制程,以于该沟渠表面形成一牺牲氧化层;移除该牺牲氧化层;以及进行一低压化学气相沈积制程,以于该沟渠表面形成一闸介电层。2.如申请专利范围第1项所述之沟渠式闸介电层的形成方法,其中该原位蒸汽产生氧化制程的温度为介于1000~1050℃。3.如申请专利范围第1项所述之沟渠式闸介电层的形成方法,其中该原位蒸汽产生氧化制程的反应气体包括氢气(H2)与氧气(O2)。4.如申请专利范围第3项所述之沟渠式闸介电层的形成方法,其中该原位蒸汽产生氧化制程的H2/O2气体流量为介于(0.3~0.7)/(9~10)slm。5.如申请专利范围第1项所述之沟渠式闸介电层的形成方法,其中该牺牲氧化层的厚度为80~150。6.如申请专利范围第1项所述之沟渠式闸介电层的形成方法,其中移除该牺牲氧化层的方法包括氢氟酸湿蚀刻制程(HF dip process)。7.如申请专利范围第1项所述之沟渠式闸介电层的形成方法,其中该闸介电层包括一闸氧化层。8.如申请专利范围第7项所述之沟渠式闸介电层的形成方法,其中该闸氧化层的材质包括氧化矽。9.如申请专利范围第8项所述之沟渠式闸介电层的形成方法,其中该低压化学气相沈积制程的反应气体包括二氯矽烷(SiH2Cl2)与一氧化二氮(N2O)。10.如申请专利范围第9项所述之沟渠式闸介电层的形成方法,其中该低压化学气相沈积制程的SiH2Cl2/N2O气体流量为介于(150~200)/(250~350)sccm。11.如申请专利范围第8项所述之沟渠式闸介电层的形成方法,其中该低压化学气相沈积制程的温度为介于700~850℃。12.如申请专利范围第8项所述之沟渠式闸介电层的形成方法,其中该低压化学气相沈积制程的压力介于0.2 ~0.35torr。13.如申请专利范围第8项所述之沟渠式闸介电层的形成方法,其中该问介电层的厚度为70~135。14.如申请专利范围第1项所述之沟渠 式闸介电层的形成方法,更包括于该闸介电层形成后,进行一热处理制程。15.如申请专利范围第14项所述之沟渠式闸介电层的形成方法,其中该热处理制程包括一快速升温氧化回火制程。16.如申请专利范围第15项所述之沟渠式闸介电层的形成方法,其中该快速升温氧化回火制程的反应温度为介于950~1100℃。17.如申请专利范围第15项所述之沟渠式闸介电层的形成方法,其中该快速升温氧化回火制程的反应气体包括一氧化氮(NO)与氧气(O2)。18.如申请专利范围第17项所述之沟渠式闸介电层的形成方法,其中该快速升温氧化回火制程的NO/O2气体流量为介于(0.4~0.6)/(1~3)slm。19.如申请专利范围第15项所述之沟渠式闸介电层的形成方法,其中该快速升温氧化回火制程系持续10~60秒。图式简单说明:图1A至图1D系绘示习知闸氧化层的制程流程之剖面图。图2A至图2D系绘示依照本发明之较佳实施例的沟渠式闸介电层的制程流程之剖面图。 |
