| 主权项 |
1.一种凸块制程,至少包括下列步骤:提供一晶圆,该晶圆具有复数个焊垫以及用以保护该晶圆并暴露出该些焊垫的一保护层;形成一金属层于该晶圆上,该金属层系至少覆盖住该些焊垫;提供一溶液至该晶圆表面上;形成一光阻层于该晶圆上,以覆盖住该些焊垫以及该保护层,其中该光阻层系与该溶液反应而产生具有流动性之一混合物;对该些焊垫上方之该光阻层进行曝光,以于该光阻层中形成复数个开口,其中该些开口系暴露出该些金属层;将一焊料填入该些开口中,以形成复数个焊料块;以及拨除该光阻层。2.如申请专利范围第1项所述之凸块制程,其中该些光阻层拨除之后,更包括回焊该些焊料块,以于该些金属层上形成复数个凸块。3.如申请专利范围第1项所述之凸块制程,其中该溶液包括去离子水。4.如申请专利范围第1项所述之凸块制程,其中该溶液包括化学溶剂。5.如申请专利范围第1项所述之凸块制程,其中该光阻层包括乾膜。6.如申请专利范围第1项所述之凸块制程,其中该焊料的形成方法包括电镀以及印刷其中之一。7.一种避免光阻层与基材之间接合不良的方法,系先提供一溶液至一基材表面上,接着于该基材表面上形成一光阻层,而使该光阻层与该溶液反应而产生具有流动性之一混合物。8.如申请专利范围第7项所述之避免光阻层与基材之间接合不良的方法,其中该光阻层包括乾膜。9.如申请专利范围第7项所述之避免光阻层与基材之间接合不良的方法,其中该溶液包括去离子水。10.如申请专利范围第7项所述之避免光阻层与基材之间接合不良的方法,其中该溶液包括化学溶剂。图式简单说明:第1A~1F图绘示习知之一种凸块制程的剖面流程示意图。第1G图绘示习知之凸块制程的局部剖面图。第2A~2G图绘示本发明之较佳实施例之凸块制程的剖面流程示意图。 |
