发明名称 | 半导体封装及其制造方法 | ||
摘要 | 提供了一种半导体封装及其制造方法,该半导体封装具有由WCu、WAg、MoCu或MoAg制成的基板。多条引线通过气密封固定到所述基板而没有插入的镍镀层。盖利用密封环被结合到所述基板上,该密封环通过铜焊直接键合到基板上而没有插入的镍镀层。所述引线在气密封之后被镀镍和镀金,并且所述密封环在铜焊之后被镀镍和镀金。即使所述基板由金属合金制成,这种配置也能够提供具有高气密度的封装。 | ||
申请公布号 | CN1674221A | 申请公布日期 | 2005.09.28 |
申请号 | CN200510059110.6 | 申请日期 | 2005.03.22 |
申请人 | 雅马哈株式会社 | 发明人 | 铃木克典;滨野哲丞 |
分类号 | H01L21/00;B23K1/19 | 主分类号 | H01L21/00 |
代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
主权项 | 1.一种半导体封装,包括:设置在衬底上的需要气密性的半导体器件;通过气密封固定到所述衬底的多条引线;以及通过密封环键合到所述衬底的密封盖,其中:所述衬底由从包括钨-铜合金、钨-银合金、钼-铜合金和钼-银合金的组中选取的金属合金制成;用于所述气密封的材料直接结合到所述衬底,其间没有插入的镍镀层,以将所述多条引线固定到所述衬底;所述密封环通过铜焊键合到所述衬底,其间没有插入的镍镀层;以及在所述气密封之后的所述引线的表面以及在所述铜焊之后的所述密封环的表面被镀镍和镀金。 | ||
地址 | 日本静冈县 |