| 发明名称 | 垂直磁记录介质 | ||
| 摘要 | 提供了一种具有基底上的垂直磁记录层和在基底与垂直磁记录层之间形成的软下层的垂直磁记录介质。在所提供的垂直磁记录介质中，软下层包括多个具有不同饱和磁化强度的软下层，以及至少一个在径向上具有易磁化轴的软下层。由于所提供的垂直磁记录层具有包括多个不同饱和磁化强度的软下层，信噪比被提高。此外，形成软下层，以便在径向上具有易磁化轴，因此传输噪声被提高。 | ||
| 申请公布号 | CN1674099A | 申请公布日期 | 2005.09.28 |
| 申请号 | CN200410103738.7 | 申请日期 | 2004.12.10 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 吴薰翔;李丙圭;李炅珍;洪寿烈 |
| 分类号 | G11B5/66 | 主分类号 | G11B5/66 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1.一种垂直磁记录介质，包括：基底上的垂直磁记录层；以及在基底和垂直磁记录层之间形成的软下层，其中软下层包括多个具有不同饱和磁化强度的软下层，以及至少一个所述软下层在径向上具有易磁化轴。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||