碳化硅薄膜的基座设计

摘要

一种用来最小化或消除外延生长过程中影响衬底晶片的温度梯度的基座，包含：第一基座部分，它包括用来在其上接纳半导体衬底晶片的表面；以及第二基座部分。此基座的特征是，第二基座部分面对衬底接纳表面并与衬底接纳表面隔开，其间距大得足以使气体能够在其间流动，以便在表面的衬底上进行外延生长，同时又小得足以使第二基座部分能够将衬底的暴露表面加热到与第一基座部分将直接接触衬底接纳表面的衬底的表面所加热到的温度基本上相同的温度。

主权项

1.一种化学汽相淀积设备，包含：由对电磁辐射基本上透明的材料制成的反应容器；与所述反应容器流体连通的气体供应系统；所述反应容器外部的电磁辐射源；以及所述反应容器中的基座，该基座用于对所述电磁辐射源的电磁辐射热响应，最小化或消除外延生长过程中衬底晶片的二个表面之间的热梯度，并包含：第一基座部分，它包括用来在其上接纳半导体衬底晶片的表面；以及第二基座部分；其特征在于：所述第二基座部分面对所述第一基座部分的衬底接纳表面，其间没有衬底或衬底接纳部分，以及所述第二基座部分与所述第一基座部分衬底接纳表面隔开，所述间距大得足以使气体能够在其间流动，以便在位于所述第一基座部分衬底接纳表面上的衬底上进行外延生长，同时又小得足以使所述第二基座部分能够直接将所述衬底的暴露表面加热到与所述第一基座部分将直接接触所述第一基座衬底接纳表面的所述衬底的表面所加热到的温度基本上相同的温度。