| 主权项 |
1.一种平行尺规,至少包含:一框架;以及复数个位于该框架的平面部分之量规,该些量规具有复数个压缩元件,向下凸出而超出该框架的下表面,藉以量测一平面的间距。2.如申请专利范围第1项所述之平行尺规,其中该些量规设有复数个量测指示装置,可藉由该框架上表面读取资料。3.如申请专利范围第2项所述之平行尺规,其中该些量规至少包含该背面活塞式调节指示器。4.如申请专利范围第2项所述之平行尺规,其中该框架至少包含一支撑结构以及一量规集成结构,该些量规设置于该量规集成结构中。5.如申请专利范围第4项所述之平行尺规,其中该量规集成结构系由以支撑结构固定之。6.如申请专利范围第4项所述之平行尺规,其中该支撑结构以及该量规集成结构系为环形结构。7.如申请专利范围第6项所述之平行尺规,其中该支撑结构设有把手。8.如申请专利范围第6项所述之平行尺规,其中在该量规集成结构中至少设置三个量规。9.如申请专利范围第8项所述之平行尺规,其中该些量规系以等间距方式配置之。10.如申请专利范围第6项所述之平行尺规,更包含复数个辅助量规,设置于该框架之该支撑结构。11.一种量测一平面的位置与水平方向之方法,该方法至少包含下列步骤:于该平面上方设置一尺规,该尺规至少包含一框架以及复数个位于该框架的平面部分之量规,该些量规具有复数个压缩元件,向下凸出而超出该框架的下表面,以量测该平面的间距;当至少一量规的压缩元件接触到该平面时,量测该些量规之该些压缩元件之压缩量;以及调整该平面,直到每一该些量规的该些压缩元件之该缩量均相同。12.如申请专利范围第11项所述之方法,于该平面上方设置该尺规的步骤之前,更包含校正该平行尺规。13.如申请专利范围第11项所述之方法,更包含调整该平面,直至每一该些量规的该些压缩元件之该缩量达到一预定値。14.如申请专利范围第11项所述之方法,其中在该框架的该平面部分中至少设置三个量规。15.如申请专利范围第11项所述之方法,其中该平面系为可动阴极的上表面。16.如申请专利范围第11项所述之方法,其中该平面系为蚀刻设备的可动阴极之上表面。17.一种量测一可动阴极的位置与水平方向之方法,该方法至少包含下列步骤:校正一尺规,该尺规包括一支撑结构、一由该支撑结构固定之量规集成结构、以及复数个位于该量规集成结构的平面部分之量规,该些量规具有复数个压缩元件,向下凸出而超出该量规集成结构的下表面,以量测该可动阴极的间距;于该可动阴极的上方设置一尺规;当至少一量规的压缩元件接触到该可动阴极时,量测该些量规之该些压缩元件之压缩量;以及调整该可动阴极,直到每一该些量规的该些压缩元件之该缩量达到一预定値。18.如申请专利范围第17项所述之方法,其中该平面系为蚀刻设备的可动阴极之上表面。图式简单说明:第1图系绘示习知半导体制程的蚀刻设备之剖视图。第2图系绘示第1图的蚀刻设备以及该蚀刻设备之下电极上的配置架之透视图。第3图系绘示习知技术中使用配置架的量测方法流程图。第4图系绘示依据本发明之一实施例之平行尺规的上视图及剖视图。第5A-5B图系绘示第4图之量规集成结构以及数个嵌入式量规之上视图及俯视图。第6图系绘示依据本发明的背面活塞式调节指示器之透视图及上视图。第7A图系绘示依据本发明之平行尺规及乾蚀刻设备之剖视图。第7B图系绘示依据本发明之另一实施例的平行尺规之上视图及剖视图,其中该平行尺规具有位于支撑结构之辅助量规。第8图系绘示依据本发明之应用平行尺规的量测方法流程图。 |
