具有双扩散体分布的沟槽MOSFET器件及制造方法

摘要

说明了一种沟槽MOSFET器件及其制作方法。该沟槽MOSFET包括：(a)第一导电类型的衬底；(b)衬底上的第一导电类型的外延层，该外延层的多数载流子浓度低于衬底；(c)在外延层中的多个沟槽；(d)第一绝缘层，例如氧化物层，衬于沟槽中；(e)导电区域，例如多晶性硅区域，位于靠近第一绝缘层的沟槽中；(f)一个或多个沟槽体区和一个或多个端部体区，它们位于外延层的上部分，端部体区延伸到外延层内的深度大于沟槽体区；每个沟槽体区和每个端部体区包括(1)第二导电类型的第一区域，该第二导电类型与第一导电类型相反，和(2)靠近第一区域的第二导电类型的第二区域，该第二区域的多数载流子浓度高于第一区域，而且第二区域位于第一区域的上面；和(g)第一导电类型的多个源区，位于沟槽体区的上部、并靠近沟槽。

主权项

1.一种沟槽MOSFET器件，包括：第一导电类型的衬底；衬底上的第一导电类型的外延层，所述的外延层的多数载流子浓度低于衬底；在所述的外延层中的多个沟槽；第一绝缘层，衬于所述的沟槽中；导电区域，位于靠近第一绝缘层的沟槽中；一个或多个沟槽体区和一个或多个端部体区，它们位于所述的外延层的上部分，所述的端部体区延伸到所述的外延层内的深度大于所述的沟槽体区；每个沟槽体区和每个端部体区包括(a)第二导电类型的第一区域，所述的第二导电类型与所述的第一导电类型相反，和(b)靠近所述的第一区的第二导电类型的第二区域，所述的第二区域的多数载流子浓度高于所述的第一区域，而且所述的第二区域位于所述的第一区域的上面，并且邻近和延伸到所述的多个沟槽中的一个的外壁；和所述的第一导电类型的多个源区，位于沟槽体区的上部、并靠近沟槽。