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发明名称
多层陶瓷电容及其制造方法
摘要
本发明旨在经由消除电介质层的氧气空缺,及抑制镍内电极的氧化,而提供一种具高介电常数、高电容及极佳可靠性的多层陶瓷电容。该多层陶瓷电容包含多层电介质主体,其系经由交替堆叠主要包含钛酸钡的电介质层,与主要包含镍的内电极层,该电容中存在包含以镁–矽–氧(Mg–Si–O)做为组成元素的第一异相。
申请公布号
TW200531100
申请公布日期
2005.09.16
申请号
TW093139155
申请日期
2004.12.16
申请人
TDK股份有限公司
发明人
中野幸惠;宫内真理;佐藤阳
分类号
H01G4/12
主分类号
H01G4/12
代理机构
代理人
林志刚
主权项
地址
日本
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