发明名称 多层陶瓷电容及其制造方法
摘要 本发明旨在经由消除电介质层的氧气空缺,及抑制镍内电极的氧化,而提供一种具高介电常数、高电容及极佳可靠性的多层陶瓷电容。该多层陶瓷电容包含多层电介质主体,其系经由交替堆叠主要包含钛酸钡的电介质层,与主要包含镍的内电极层,该电容中存在包含以镁–矽–氧(Mg–Si–O)做为组成元素的第一异相。
申请公布号 TW200531100 申请公布日期 2005.09.16
申请号 TW093139155 申请日期 2004.12.16
申请人 TDK股份有限公司 发明人 中野幸惠;宫内真理;佐藤阳
分类号 H01G4/12 主分类号 H01G4/12
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 日本