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发明名称
半导体封装基板之层间导电结构及其制法
摘要
一种半导体封装基板之层间导电结构及其制法,主要系提供一内层基板,该内层基板中形成有多数贯穿其表面之电镀导通孔,且该内层基板表面形成有内层线路层,并于该内层基板上及该电镀导通孔中形成一绝缘层,且该绝缘层对应于电镀导通孔处系形成有尺寸小于该电镀导通孔之贯穿开孔,之后于该绝缘层上及该开孔中形成一图案化金属层。俾藉由形成在该开孔之金属层来进行不同线路层间之纵向导电连接,以有效地缩短讯号传导路径,提升基板电性品质,并减少导电盲孔的开设数量,以达到扩大封装基板线路布局面积。
申请公布号
TW200531243
申请公布日期
2005.09.16
申请号
TW093105255
申请日期
2004.03.01
申请人
全懋精密科技股份有限公司
发明人
魏国胜;陈封安
分类号
H01L23/48
主分类号
H01L23/48
代理机构
代理人
陈昭诚
主权项
地址
新竹市科学园区力行路6号
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