绝缘膜之形成方法及绝缘膜形成系统及半导体装置之制造方法

摘要

本发明系以CVD装置(111)，藉由加热器把半导体晶圆W进行加热，导入1,3,5,7–四甲基环四矽氧烷(TMCTS)，在不施加高频电压之状态下，实施热处理，把含有矽之多孔性低介电率膜进行改性处理。接着，以同一CVD装置(111)，把半导体晶圆W加热，导入TMCTS，施加高频电压，来产生含有TMCTS之气体之电浆，在多孔性低介电率膜上形成高密度及高硬度之绝缘膜。