发明名称 |
一种探测功率范围可调的光电探测器 |
摘要 |
本发明一种探测功率范围可调的光电探测器及其列阵,包括一个可以提供光信号衰减功能的波导型光学衰减器、能对光信号进行探测的波导型光电探测器,其中该波导型光电探测器通过其硅波导层与波导型光学衰减器相连,利用光学衰减器对光信号连续衰减的功能来实现对进入光电探测器的光信号的强度的调节从而实现光电探测器的探测功率范围可调,将多个这种类型的光电探测器集成在一块芯片上制成列阵,能够对波分复用系统中不同强度的、多个波长的光信号同时进行功率均衡和探测。 |
申请公布号 |
CN1219327C |
申请公布日期 |
2005.09.14 |
申请号 |
CN02105492.4 |
申请日期 |
2002.04.05 |
申请人 |
中国科学院半导体研究所 |
发明人 |
杨林;刘育梁;王启明 |
分类号 |
H01L29/205;H04J14/02;H04B10/02 |
主分类号 |
H01L29/205 |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 |
代理人 |
汤保平 |
主权项 |
1、一种探测功率范围可调的光电探测器,包括一个可以提供光信号衰减功能的波导型光学衰减器、能对光信号进行探测的波导型光电探测器,其特征在于,其中该波导型光电探测器通过其硅波导层与波导型光学衰减器相连,利用光学衰减器对光信号连续衰减的功能来实现对进入光电探测器的光信号的强度的调节从而实现光电探测器的探测功率范围可调;该光学衰减器直接形成于SOI材料的硅波导层上,光学衰减器之上还要形成上包层,光电探测器的光电探测层生长于SOI材料的硅波导层上,利用SOI材料的硅波导层来形成光电探测器与光学衰减器集成的结构,并提供光信号进入光电探测层的耦合结构。 |
地址 |
100083北京市海淀区清华东路肖庄 |