| 主权项 |
1.一种半导体晶片的制造方法,在将表面中复数个电路被切割道划分而形成的半导体晶圆分割成每一各个电路的半导体晶片,至少由以下构成:使半导体晶圆的表面侧形成有切剩部,形成由切割道的背面不到达该表面的切削沟槽的切削沟槽形成制程;以及由该背面实施蚀刻,以蚀刻该背面、该切削沟槽的侧面以及该切剩部,分割成各个半导体晶片的蚀刻制程。2.如申请专利范围第1项所述之半导体晶片的制造方法,其中在切削沟槽形成制程中,在半导体晶圆的背面形成剖面为V形状的切削沟槽。3.如申请专利范围第1项所述之半导体晶片的制造方法,其中蚀刻制程是藉由乾式蚀刻来遂行。4.如申请专利范围第1项至第3项中任一项所述之半导体晶片的制造方法,其中在切削沟槽形成制程的遂行前,遂行磨削半导体晶圆的背面形成所希望的厚度的背面磨削制程。图式简单说明:图1是显示本发明所适用的半导体晶圆的斜视图。图2是显示在同半导体晶圆的表面贴附保护构件的状态的斜视图。图3是显示背面磨削制程的实施所使用的磨削装置的一例的斜视图。图4是显示切削沟槽形成制程的实施所使用的切削装置的一例的斜视图。图5是扩大构成同切削装置的切削手段以及定向手段而显示的斜视图。图6是显示在背面形成有切削沟槽的半导体晶圆的斜视图。图7是显示同切削沟槽的形状的第一例的剖面图。图8是显示同切削沟槽的形状的第二例的剖面图。图9是显示蚀刻制程的实施所使用的蚀刻装置的构成的一例的说明图。图10是显示蚀刻制程终了后的切削沟槽的状态的剖面图。图11是显示被切割的半导体晶圆的斜视图。图12是显示在表面形成有切削沟槽的半导体晶圆的剖面图。图13是显示磨削在同表面形成有切削沟槽的半导体晶圆的背面而形成的各个半导体晶片的剖面图。 |
