| 主权项 |
1.一种用于测定无氧电浆去灰制程之终点的方法, 用以剥离基材上的光阻与/或残留物,该方法包含 下列步骤: 由含有氮气及至少一种反应气体的气体组成产生 无氧电浆; 测量波长约387nm之第一放射讯号; 将其上具有光阻与/或残留物的涂层后的基材放置 在反应室中; 将该涂层后的基材暴露于该电浆; 使该无氧电浆之大体上为电中性的物种和该光阻 与/或该残留物发生反应; 测量波长约387nm之第二放射讯号;以及 测定该电浆去灰制程之终点,其系藉由比较该第一 放射讯号与该第二放射讯号来决定,其中当该第一 讯号与该第二讯号约相等时,该终点即被检测到。 2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一放 射讯号更包含约358nm及431nm之波长,该第二放射讯 号更包含约358nm及431nm之波长。 3.如申请专利范围第1项所述之方法,其更包含从该 第二讯号减去该第一讯号,其中当该第二讯号达到 一稳定状态且具有约零放射讯号时,该终点即被检 测到。 4.如申请专利范围第1项所述之方法,其更包含将至 少一未涂层之基材放置在该反应室中,用以测量该 第一放射讯号。 5.如申请专利范围第1项所述之方法,其更包含当该 第二放射讯号在一门槛的强度値时,侦测到一终点 ,其中该门槛的强度値系藉由关连反应时间、光波 长谱与光放射强度讯号的値之实验而被计算出,并 且该値系对应于一种其中该去灰制程实质上已完 成的情形。 6.如申请专利范围第1项所述之方法,其更包含使用 放射光谱装置,用以测定该等光强度讯号。 7.如申请专利范围第6项所述之方法,其中该放射光 谱装置为单色仪。 8.如申请专利范围第1项所述之方法,其更包含在暴 露于该电浆当中,针对该基材逐步从约80℃加热至 约350℃。 9.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该基材包 含介电常数低于约3.5的低介电常数材料与/或暴露 的铜表面。 10.一种去灰方法,用于移除基材上之光阻与/或残 留物,该方法包含: 将其上具有光阻与/或残留物的基材放置在反应室 中; 由含有氮气及至少一种反应气体的气体组成产生 无氧电浆; 将该光阻与/或该残留物暴露于该无氧电浆之大体 上为电中性的物种; 使该无氧电浆之大体上为电中性的物种和该光阻 与/或该蚀刻后残留物发生反应,以产生放射波长 约358、387及431nm之放射讯号的衍生物; 以光学方式测量该衍生物之放射讯号;以及 当来自该反应衍生物之放射讯号不再被检测到时, 终止去灰制程。 11.如申请专利范围第10项所述之方法,其中以光学 方式测量该放射讯号系藉由放射光谱装置来执行 。 12.如申请专利范围第11项所述之方法,其中该放射 光谱装置系选自单色仪及光谱仪的其中之一。 13.一种用于测定无氧电浆去灰制程之终点的方法, 其中该方法包含激发含有氮气以及选自含氢气体 、含氟气体与含氟-氢气体混合物所组成的群组之 一的气体组成,以形成无氧电浆;使该无氧电浆与 具有光阻与/或残留物于其上的基材发生反应,以 产生挥发性反应产物;测量该等产物在波长约358、 387及431nm其中之一放射讯号,并回应在被监测之放 射讯号上所观察到的变化来测定该终点。 图式简单说明: 图1系显示用于电浆去灰器的微波腔室的立体图; 图2系概要地显示适用于本发明的电浆反应室的剖 面图; 图3系显示图2所示之电浆去灰器的立体图; 图4为二维曲线图,其显示由电荷耦合元件建立之 光谱仪监测含氢气体所组成之无氧电浆去灰制程 中,放射波长387nm之光强度的时序图; 图5为三维图像,其显示图4所示之去灰制程中,放射 波长200至500nm之光强度的时序图; 图6为二维曲线图,其显示由电荷耦合元件建立之 光谱仪监测含氟气体所组成之无氧电浆去灰制程 中,放射波长387nm之光强度的时序图;及 图7为扫描电子显微图的图像,其显示进行本发明 之无氧电浆剥离制程之前及之后,接触孔的剖面及 由上而下的视图。 |
