| 发明名称 | 生产III族氮化物晶体的方法 | ||
| 摘要 | 提供一种生产III族氮化物晶体的方法，在该方法中使氮等离子体(8a)与含有III族元素和碱金属的熔体(7)接触以生长III族氮化物晶体。此外，也提供另一种生产III族氮化物晶体的方法，在该方法中III族氮化物晶体在放置在含有III族元素和碱金属的熔体(7)中的基质(10)上生长，而且所述熔体(7)表面与所述基质(10)表面之间的最小距离设置为至多50mm。 | ||
| 申请公布号 | CN1664179A | 申请公布日期 | 2005.09.07 |
| 申请号 | CN200510004041.9 | 申请日期 | 2005.01.10 |
| 申请人 | 住友电气工业株式会社;森勇介 | 发明人 | 佐佐木孝友;森勇介;吉村政志;川村史郎;弘田龙 |
| 分类号 | C30B29/40 | 主分类号 | C30B29/40 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 陈平 |
| 主权项 | 1.一种生产III族氮化物晶体的方法，其中使氮等离子体(8a)与含有III族元素和碱金属的熔体(7)接触以生长III族氮化物晶体。 | ||
| 地址 | 日本国大阪府 | ||