发明名称 | 快闪记忆胞的制造方法 | ||
摘要 | 一种快闪记忆胞的制造方法,此方法系先提供基底,然后于基底上形成图案化之罩幕层。之后,以图案化之罩幕层为罩幕,蚀刻此基底,以于基底中形成沟渠。继之,在于基底上形成第一介电层后,于沟渠侧壁形成第一闸极及第二闸极。接着,于沟渠底部之基底中形成第一源极/汲极区。继之,于基底上形成第二介电层后,于第二介电层上形成保护层。然后,移除部分之保护层、第二介电层与第一介电层。接着,在于沟渠中填满第三闸极后,移除罩幕层。之后,于基底上形成第三介电层。继之,于第一闸极与第二闸极的侧壁形成第四闸极及第五闸极后,于第四闸极及第五闸极侧边之基底形成第二源极/汲极区。 | ||
申请公布号 | TW200529380 | 申请公布日期 | 2005.09.01 |
申请号 | TW093103866 | 申请日期 | 2004.02.18 |
申请人 | 力晶半导体股份有限公司 | 发明人 | 黄明山;王炳尧 |
分类号 | H01L21/8247 | 主分类号 | H01L21/8247 |
代理机构 | 代理人 | 詹铭文;萧锡清 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行一路12号 |