发明名称 快闪记忆胞的制造方法
摘要 一种快闪记忆胞的制造方法,此方法系先提供基底,然后于基底上形成图案化之罩幕层。之后,以图案化之罩幕层为罩幕,蚀刻此基底,以于基底中形成沟渠。继之,在于基底上形成第一介电层后,于沟渠侧壁形成第一闸极及第二闸极。接着,于沟渠底部之基底中形成第一源极/汲极区。继之,于基底上形成第二介电层后,于第二介电层上形成保护层。然后,移除部分之保护层、第二介电层与第一介电层。接着,在于沟渠中填满第三闸极后,移除罩幕层。之后,于基底上形成第三介电层。继之,于第一闸极与第二闸极的侧壁形成第四闸极及第五闸极后,于第四闸极及第五闸极侧边之基底形成第二源极/汲极区。
申请公布号 TW200529380 申请公布日期 2005.09.01
申请号 TW093103866 申请日期 2004.02.18
申请人 力晶半导体股份有限公司 发明人 黄明山;王炳尧
分类号 H01L21/8247 主分类号 H01L21/8247
代理机构 代理人 詹铭文;萧锡清
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行一路12号
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