| 摘要 |
本发明提供一种紫外线抹除型半导体记忆装置，其课题系在EPROM之记忆单元具备2个MOSFET，利用差动放大器检测出2个MOSFET之电流差，以读取资料之构成中，藉由紫外线照射抹除资料时，差动放大器之输出会变得不一定，且难以进行初始化之确认。其系使构成记忆单元的2个MOSFET中一个的通道宽度(WA)比另一个的通道宽度(WB)窄地形成。由此，在照射紫外线后的初始化状态下，具有通道宽度(WA)的MOSFET的资料信号电流(IHA)将比流通于通道宽度(WB)的MOSFET的资料信号电流(IHB)更小。由此，差动放大器的输出可根据IHA＜IHB的电流大小关系来确定，被定义为资料值“0”。另一方面，在写入资料“1”时，将电荷注入通道宽度(WB)的MOSFET的浮动闸极电极(36)，提高阈值电压(Vt)，使MOSFET成为不导通状态。 |
