| 主权项 |
1.一种板状矽之制造方法,其系使基板接触于矽之熔液,使矽结晶生长于该基板表面者,其特征为:具备使板状矽结晶生长于前述基板表面,并于该板状矽上形成贯穿孔及/或缺口部之步骤。2.如申请专利范围第1项之板状矽之制造方法,其中前述基板具有贯穿孔形成部及/或缺口部形成部。3.如申请专利范围第1项之板状矽之制造方法,其中前述基板在接触于矽熔液之面上周期性并列设置突起,于形成1或2个以上突起之部分设置贯穿孔形成部及/或缺口部形成部。4.一种板状矽制造用基板,其特征为:使用于申请专利范围第1项之制造方法中,并具有贯穿孔形成部及/或缺口部形成部。5.如申请专利范围第4项之板状矽制造用基板,其中前述贯穿孔形成部系基板表面之凸部或凹部,凸部之高度尺寸或凹部之深度尺寸大于结晶生长之板状矽之厚度尺寸。6.如申请专利范围第4项之板状矽制造用基板,其中前述缺口部形成部系基板表面之凸部或凹部,凸部之高度尺寸或凹部之深度尺寸大于结晶生长之板状矽之厚度尺寸。7.一种板状矽,其特征为:系藉向申请专利范围第1项之方法制造,且具有贯穿孔及/或缺口部。8.一种太阳电池,其特征为:系使用藉由申请专利范围第1项之方法制出之板状矽。9.如申请专利范围第8项之太阳电池,其中于光入射面之内面及/或侧面配置有电极。10.一种太阳电池模组,其特征为:系使用申请专利范围第8项之太阳电池。图式简单说明:图1A系具有贯穿孔之本发明之板状矽之立体图。此外,图1B系贯穿孔形成部为凸部之本发明之板状矽制造用基板的立体图,图1C系贯穿孔形成部为凹部之本发明之板状矽制造用基板的立体图。图2系本发明之板状矽制造用基板之矽结晶生长面的平面图。图3A系具有缺口孔之本发明之板状矽之立体图。此外,图3B系缺口部形成部为凸部之本发明之板状矽制造用基板的立体图,图3C系缺口部形成部为凹部之本发明之板状矽制造用基板的立体图。图4A-图4H系显示使用具有贯穿孔之板状矽之本发明之太阳电池之制造方法的步骤图。图5A-图5H系显示使用具有贯穿孔之板状矽之本发明之太阳电池之其他制造方法的步骤图。图6A-图6H系显示使用具有贯穿孔之板状矽之本发明之太阳电池之其他制造方法的步骤图。图7A系具有贯穿孔之本发明之太阳电池内面的平面图。此外,图7B系以图7A之VIIB-VIIB切断时之剖面图。图8系显示将具有贯穿孔之本发明之太阳电池实施配线状态的平面图。图9A系使用具有贯穿孔之本发明之太阳电池制造之太阳电池模组的平面图,图9B系其剖面图。图10系本发明之板状矽制造用基板之立体图。图11A系具有贯穿孔之本发明之板状矽之立体图,图11B系具有贯穿孔形成部之本发明之板状矽制造用基板之立体图。图12系本发明之板状矽之制造方法使用之制造装置的剖面图。图13A系具有贯穿孔之本发明之板状矽之立体图。此外,图13B系本发明之板状矽制造用基板之立体图。图14系具有贯穿孔之本发明之板状矽之立体图。图15系具有缺口部之本发明之板状矽之立体图。图16A系具有贯穿孔及缺口部之本发明之板状矽之立体图。此外,图16B系本发明之板状矽制造用基板之立体图。图17系具有贯穿孔及缺口部之本发明之板状矽之立体图。图18A系具有贯穿孔及缺口部之本发明之板状矽之立体图。此外,图18B系本发明之板状矽制造用基板之立体图。图19A系具有贯穿孔及缺口部之本发明之板状矽之立体图。此外,图19B系本发明之板状矽制造用基板之立体图。图20系本发明之板状矽制造用基板之立体图。图21系本发明之板状矽制造用基板之立体图。图22系本发明之板状矽制造用基板之立体图。 |
