半导体封装构造及其制造方法

摘要

一种半导体封装构造包含一晶片、复数个接垫延伸线路、复数个导通孔、一外盖、及复数个金属线路。该晶片具有一主动表面、一相对之背面、一光学元件配置于该主动表面上、及复数个接垫配置于该主动表面上，电性连接至该光学元件。该接垫延伸线路电性连接于该接垫。该导通孔贯穿该晶片，且电性连接于该接垫延伸线路。该外盖黏着于该晶片之该主动表面上。该复数个金属线路配置于该晶片之该背面，电性连接于该复数个导通孔，并界定复数个焊垫。

主权项

1.一种半导体封装构造,包含:一晶片,具有一主动表面、一相对之背面、一光学元件配置于该主动表面上、及复数个接垫配置于该主动表面上,电性连接至该光学元件;复数个导通孔,贯穿该晶片,且电性连接于该复数个接垫;一外盖,黏着于该晶片之该主动表面上;以及复数个金属线路,配置于该晶片之该背面,电性连接于该复数个导通孔,并界定复数个焊垫。2.依申请专利范围第1项之半导体封装构造,另包含:复数个接垫延伸线路,用以将该导通孔电性连接于该复数个接垫。3.依申请专利范围第1项之半导体封装构造,另包含:复数个顺应垫,配置于该晶片之该背面与该金属线路之间,并与该焊垫相对应。4.依申请专利范围第1项之半导体封装构造,另包含:一防焊层,覆盖于该晶片之该背面及该金属线路上,并裸露出该焊垫。5.依申请专利范围第4项之半导体封装构造,其中该防焊层进一步覆盖该晶片之侧面。6.依申请专利范围第1项之半导体封装构造,另包含:复数个锡球,配置于该焊垫上。7.依申请专利范围第1项之半导体封装构造,其中该外盖系由透明之材料所制造。8.依申请专利范围第7项之半导体封装构造,其中该透明之材料系由玻璃、压克力树脂及钢石(sapphire)所构成之群组中选出。9.依申请专利范围第1项之半导体封装构造,其中该光学元件系为互补性金属氧化半导体(ComplementaryMetal-Oxide Semiconductor;CMOS)。10.依申请专利范围第3项之半导体封装构造,其中该顺应垫系为感光性苯环丁烯聚合物(PhotosensitiveBenzocyclobutene Polymer)所制得。11.依申请专利范围第4项之半导体封装构造,其中该防焊层大体上系为感光性苯环丁烯聚合物(Photosensitive Benzocyclobutene Polymer)所制得。12.一种半导体封装构造之制造方法,包含下列步骤:提供一晶圆,界定一主动表面及一背面,并具有复数个晶片,每个晶片皆具有一光学元件及复数个接垫配置于该主动表面上,及复数个切割线位于该晶片之间;于该晶圆上之该接垫上,形成复数个孔;于该复数个孔内涂覆导电材料,用以形成复数个导通孔,电性连接于该接垫;提供一外盖,黏着于该晶圆,并覆盖整个该晶圆;于该晶圆之该背面上形成复数个金属线路,电性连接于该导通孔,并界定复数个焊垫;以及切割该晶圆,以形成个别之半导体封装构造。13.依申请专利范围第12项之半导体封装构造之制造方法,另包含下列步骤:于该孔之形成步骤之前,在该晶片之该主动表面及该接垫上涂布一光阻剂;以及于该孔之形成步骤之后,剥除该光阻剂。14.依申请专利范围第12项之半导体封装构造之制造方法,另包含下列步骤:研磨该晶圆之背面,使该晶圆之厚度降低至一预定的厚度,并裸露出该导通孔。15.依申请专利范围第12项之半导体封装构造之制造方法,另包含下列步骤:于该晶片之该背面上形成复数个顺应垫,对应于该焊垫。16.依申请专利范围第12项之半导体封装构造之制造方法,另包含下列步骤:于该晶片之背面,涂覆一防焊层,并裸露出该金属线路之焊垫。17.依申请专利范围第12项之半导体封装构造之制造方法,另包含下列步骤:沿着该切割线,切割该晶圆之背面,用以形成一楔形凹口;以及于该晶片之背面,涂覆一防焊层,覆盖该晶片之侧面,并裸露出该金属线路之焊垫。18.依申请专利范围第12项之半导体封装构造之制造方法,另包含下列步骤:将复数个锡球,加装于该金属线路之该焊垫上。19.依申请专利范围第12项之半导体封装构造之制造方法,其中该外盖系由透明之材料所制造。20.依申请专利范围第19项之半导体封装构造之制造方法,其中该透明之材料系由玻璃、压克力树脂及钢石(sapphire)所构成之群组中选出。21.依申请专利范围第12项之半导体封装构造之制造方法,其中该光学元件系为互补性金属氧化半导体(Complementary Metal-Oxide Semiconductor;CMOS)。22.依申请专利范围第15项之半导体封装构造之制造方去,其中该顺应垫系为感光性苯环丁烯聚合物(Photosensitive Benzocyclobutene Polymer)所制得。23.依申请专利范围第16项之半导体封装构造之制造方法,其中该防焊层系为感光性苯环丁烯聚合物(Photosensitive Benzocyclobutene Polymer)所制得。24.依申请专利范围第17项之半导体封装构造之制造方法,其中该防焊层系为感光性苯环丁烯聚合物(Photosensitive Benzocyclobutene Polymer)所制得。25.一种半导体封装构造之制造方法,包含下列步骤:提供一晶圆,界定一主动表面及一背面,并具有复数个晶片,每个晶片皆具有一光学元件及复数个接垫配置于该主动表面上,及复数个切割线位于该晶片之间;于该晶圆之主动表面上,形成复数个接垫延伸线路,个别地电性连接至该接垫;于该晶圆上之该接垫延伸线路上,形成复数个孔;于该复数个孔内涂覆导电材料,用以形成复数个导通孔,电性连接于该接垫延伸线路;提供一外盖,黏着于该晶圆,并覆盖整个该晶圆;于该晶圆之该背面上形成复数个金属线路,电性连接于该导通孔,并界定复数个焊垫;以及切割该晶圆,以形成个别之半导体封装构造。26.依申请专利范围第25项之半导体封装构造之制造方去,另包含下列步骤:于该孔之形成步骤之前,在该晶片之该主动表面、该接垫、及该接垫延伸线路上涂布一光阻剂;以及于该孔之形成步骤之后,剥除该光阻剂。27.依申请专利范围第25项之半导体封装构造之制造方法,另包含下列步骤:研磨该晶圆之背面,使该晶圆之厚度降低至一预定的厚度,并裸露出该导通孔。28.依申请专利范围第25项之半导体封装构造之制造方法,另包含下列步骤:于该晶片之该背面上形成复数个顺应垫,对应于该焊垫。29.依申请专利范围第25项之半导体封装构造之制造方法,另包含下列步骤:于该晶片之背面,涂覆一防焊层,并裸露出该金属线路之焊垫。30.依申请专利范围第25项之半导体封装构造之制造方去,另包含下列步骤:沿着该切割线,切割该晶圆之背面,用以形成一楔形凹口;以及于该晶片之背面,涂覆一防焊层,覆盖该晶片之侧面,并裸露出该金属线路之焊垫。31.依申请专利范围第25项之半导体封装构造之制造方去,另包含下列步骤:将复数个锡球,加装于该金属线路之该焊垫上。32.依申请专利范围第25项之半导体封装构造之制造方法,其中该外盖系由透明之材料所制造。33.依申请专利范围第32项之半导体封装构造之制造方法,其中该透明之材料系由玻璃、压克力树脂及钢石(sapphire)所构成之群组中选出。34.依申请专利范围第25项之半导体封装构造之制造方法,其中该光学元件系为互补性金属氧化半导体(Complementary Metal-Oxide Semiconductor;CMOS)。35.依申请专利范围第28项之半导体封装构造之制造方法,其中该顺应垫系为感光性苯环丁烯聚合物(Photosensitive Benzocyclobutene Polymer)所制得。36.依申请专利范围第29项之半导体封装构造之制造方法,其中该防焊层系为感光性苯环丁烯聚合物(Photosensitive Benzocyclobutene Polymer)所制得。37.依申请专利范围第30项之半导体封装构造之制造方法,其中该防焊层系为感光性苯环丁烯聚合物(Photosensitive Benzocyclobutene Polymer)所制得。图式简单说明:第1图为根据本发明之第一实施例之半导体封装构造之剖面示意图。第2图为根据本发明之第一实施例之半导体封装构造之制造方法之剖面示意图。第3图为根据本发明之第一实施例之半导体封装构造之制造方法之上视示意图。第4至15图为根据本发明之第一实施例之半导体封装构造之制造方法之剖面示意图。第16图为根据本发明之一替代实施例之半导体封装构造之剖面示意图。第17图为根据本发明之第二实施例之半导体封装构造之剖面示意图。第18至20图为根据本发明之第二实施例之半导体封装构造之制造方法之剖面示意图。第21图为根据本发明之一替代实施例之半导体封装构造之剖面示意图。