| 主权项 |
1.一种影像感测元件半导体晶圆级封装之方法,包括以下步骤;一影像感测半导体晶圆(Wafer)表面规划出多数晶粒(chip)矩阵,每一晶粒内包含有影像感测区及多数的电性连接点;及于一相当于该影像感测半导体晶圆尺寸之透光薄板表面规划出相等于晶粒矩阵之多数基板矩阵,沿各基板边界以乾式蚀刻(Dry Etching)出多数间隔开的穿透孔,其中穿透孔并对称地横跨两相邻基板;及对应各穿透孔位置以物理气相蒸镀(Physical VaporDeposition PVD)形成多数不相连导电线路于透光薄板表面,该各导电线路自透光薄板一侧表面沿穿透孔内壁延伸至透光薄板另一侧表面;及连续地沿影像感测半导体晶圆表面各晶粒边缘覆上一胶质线,胶质线宽为可足以包含穿透孔;及将该透光薄板贴合于该影像感测半导体晶圆表面,并促使各电性连接点对应一导电线路以及相互电性连接,同时使该胶质线贴附于透光薄板相邻的表面,再予以固化胶质线;一并切割透光薄板及影像感测半导体晶圆,并切割保留每一穿透孔两翼侧内壁之导电线路,以分离出各个晶粒与基板结合的多数影像感测器。2.依申请专利范围第1项所述影像感测元件半导体晶圆级封装之方法,其中,胶质线之线宽大于切割透光薄板及影像感测半导体晶圆之切割道宽度。3.依申请专利范围第2项所述影像感测元件半导体晶圆级封装之方法,其中,穿透孔为一矩形孔。4.依申请专利范围第3项所述影像感测元件半导体晶圆级封装之方法,其中,于影像感测半导体晶圆表面各晶粒影像感测区周围覆上一胶质框。5.依申请专利范围第4项所述影像感测元件半导体晶圆级封装之方法,其中,胶质线及胶质框系选择于网印涂覆、点胶方式形成。6.依申请专利范围第5项所述影像感测元件半导体晶圆级封装之方法,其中,胶质线及胶质框材质系为UV胶,其系藉由UV曝晒方法固化。7.依申请专利范围第1项所述影像感测元件半导体晶圆级封装之方法,其中更包括步骤,以膏态导电介质于该透光薄板表面导电线路网印出凸块,各凸块对应于影像感测半导体晶圆每一晶粒多数的电性连接点位置,再施以回焊促使电性连接点与导电线路连结。8.一种影像感测元件半导体晶圆级封装之方法,包括以下步骤;一影像感测半导体晶圆表面规划出多数晶粒矩阵,每一晶粒内包含有影像感测区及多数的电性连接点;及于一相当于该影像感测半导体晶圆尺寸之透光薄板表面规划出相等于晶粒矩阵之多数基板矩阵,沿各基板边界以乾式蚀刻出多数间隔开的穿透孔,其中穿透孔并对称地横跨两相邻基板;及对应各穿透孔位置以物理气相蒸镀形成多数不相连导电线路于透光薄板表面,该各导电线路自透光薄板一侧表面沿穿透孔内壁延伸至透光薄板另一侧表面;及连续地沿透光薄板表面各基板边缘覆上一胶质线,胶质线宽为可足以包含穿透孔;将该透光薄板贴合于该影像感测半导体晶圆表面,并促使各电性连接点对应一导电线路以及相互电性连接,同时使该胶质贴附于该影像感测半导体晶圆相邻的表面,再予以固化胶质线;一并切割透光薄板及影像感测半导体晶圆,并切割保留每一穿透孔两翼侧内壁之导电线路,以分离出各个晶粒与基板结合的多数影像感测器。9.依申请专利范围第8项所述影像感测元件半导体晶圆级封装之方法,其中,胶质覆上之线宽大于切割透光薄板及影像感测半导体晶圆之切割道宽度。10.依申请专利范围第9项所述影像感测元件半导体晶圆级封装之方法,其中,穿透孔为一矩形孔。11.依申请专利范围第10项所述影像感测元件半导体晶圆级封装之方法,其中,于透光薄板表面对应各晶粒影像感测区周围覆上一胶质框。12.依申请专利范围第11项所述影像感测元件半导体晶圆级封装之方法,其中,胶质线及胶质框系选择于网印涂覆、点胶方式形成。13.依申请专利范围第12项所述影像感测元件半导体晶圆级封装之方法,其中,胶质线及胶质框材质系为UV胶,其系藉由UV曝晒方法固化。14.依申请专利范围第8项所述影像感测元件半导体晶圆级封装之方法,其中更包括步骤,针对影像感测半导体晶圆每一晶粒多数的电性连接点,以膏态导电介质网印出凸块,再施以回焊促使电性连接点与导电线路连结。15.一种影像感测元件半导体晶圆级封装之方法,包括以下步骤;一影像感测半导体晶圆表面规划出多数晶粒矩阵,每一晶粒内包含有影像感测区及多数的电性连接点;及于一相当于该影像感测半导体晶圆尺寸之透光薄板表面规划出相等于晶粒矩阵之多数基板矩阵,沿各基板边界以乾式蚀刻出多数间隔开的穿透孔,其中穿透孔并对称地横跨两相邻基板;及对应各穿透孔位置以物理气相蒸镀形成多数不相连导电线路于透光薄板表面,该各导电线路自透光薄板一侧表面沿穿透孔内壁延伸至透光薄板另一侧表面;及于影像感测半导体晶圆表面各晶粒影像感测区周围覆上一胶质框;将该透光薄板贴合于该影像感测半导体晶圆表面,并促使各电性连接点对应一导电线路以及相互电性连接,同时使该胶质框贴附于该透光薄板相邻的表面;自穿透孔填充胶液至胶质框外围介于透光薄板与该影像感测半导体晶圆间之空隙,再予以固化胶液及胶质框;一并切割透光薄板及影像感测半导体晶圆,并切割保留每一穿透孔两翼侧内壁之导电线路,以分离出各个晶粒与基板结合的多数影像感测器。16.依申请专利范围第15项所述影像感测元件半导体晶圆级封装之方法,其中,穿透孔为一矩形孔。17.依申请专利范围第16项所述影像感测元件半导体晶圆级封装之方法,其中,胶质框系选择于网印涂覆、点胶方式形成。18.依申请专利范围第17项所述影像感测元件半导体晶圆级封装之方法,其中,胶质系为UV胶,其系藉由UV曝晒方法固化,而胶液系藉由烘烤方法固化。19.依申请专利范围第15项所述影像感测元件半导体晶圆级封装之方法,其中更包括步骤,以膏态导电介质于该透光薄板表面导电线路网印出凸块,各凸块对应于影像感测半导体晶圆每一晶粒多数的电性连接点位置,再施以回焊促使电性连接点与导电线路连结。20.依申请专利范围第15项所述影像感测元件半导体晶圆级封装之方法,其中更包括步骤,以膏态导电介质于该透光薄板表面导电线路网印出凸块,各凸块对应于影像感测半导体晶圆每一晶粒多数的电性连接点位置,再施以回焊促使电性连接点与导电线路连结。图式简单说明:第1A图系本发明方法步骤中于一影像感测半导体晶圆表面规划出多数晶粒矩阵示图。第1B图系第1A图中晶粒放大示意图。第1C图系本发明方法步骤中于晶圆表面覆上UV胶,而于各晶粒边缘以及影像感测区周围分别形成一胶质线及胶质框。第2A图系本发明方法步骤中于一透光薄板表面规划出多数基板矩阵示意图。第2B图系本发明方法步骤中沿各基板边界以乾式蚀刻出多数矩形穿透孔。第2C图系第2B图透光薄板断面剖视。第2D图系本发明方法步骤中于透光薄板表面形成导电线路以及网印出凸块示意图。第3A图系本发明方法步骤中影像感测半导体晶圆与透光薄板贴合示意图。第3B图系本发明方法步骤最后切割所获得之数个影像感测器。第4A图系本发明第二例子方法步骤中于透光薄板覆上UV胶,而于各基板边缘及对应于影像感测区周围形成一胶质线及胶质框示意图。第4B图系第4A图的局部放大。第4C图系本发明方法第二例子步骤中晶粒多数的电性连接点网印出凸块示意图。第4D图系本发明方法第二例子步骤中影像感测半导体晶圆与透光薄板贴合示意图。第5A图系本发明第三例子方法步骤中于影像感测区周围形成胶质框示意图。第5B图系本发明第三例子方法步骤中影像感测半导体晶圆与透光薄板贴合示意图。第5C图系本发明第三例子方法步骤中自穿透孔填充胶液至介于透光薄板与该影像感测半导体晶圆间之空隙示意图。第6图系一种习知覆晶封装影像感测器结构图。 |
