| 摘要 |
本发明揭示一种具位元线对位元线耦合补偿之非挥发性记忆体及方法。当程式化记忆体储存单元之一邻接页时，每次一记忆体储存单元已达到其目标状态并从进一步的程式化中予以程式禁止或封锁，其均会于仍在程式化条件下的一邻近记忆体储存单元上建立一扰动。本发明提供程式化电路及方法之一部分，其中将该扰动之一偏移加入至仍在程式化条件下的该邻近记忆体储存单元。藉由该程式禁止记忆体储存单元之邻近位元线与该仍在程式化条件下的记忆体储存单元之邻近位元线之间的一受控耦合而添加该偏移。采用此方法，可消除或最小化并列程式化高密度记忆体储存单元中固有的一错误。 |
