发明名称 Verfahren zur Herstellung von metallischen Leitbahnen und Kontaktflächen auf elektronischen Bauelementen
摘要 Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von metallischen Leitbahnen und Kontaktflächen auf elektronischen Bauelementen mit Kupfer-Nickel-Gold-Schichtaufbau, wobei mittels einer ersten Resist-Maske aus positivem Resist der Kupferkern der Leitbahnen und Kontaktflächen galvanisch abgeschieden und mittels einer zweiten Resist-Maske der Kupferkern der Leitbahnen und Kontaktflächen von einer Nickel-Gold-Schicht umhüllt wird. Ihr liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren anzugeben, mit dem metallische Leitbahnen und Kontaktflächen auf verschiedenen elektronischen Bauelementen kostengünstig mit den bekannten und erprobten Verfahren herstellbar sind, welche die oben dargestellten Nachteile nicht aufweisen. Erfindungsgemäß wird die Aufgabe dadurch gelöst, dass die Leitbahnen und Kontaktflächen mittels zweier übereinander angeordneter Resist-Masken so hergestellt werden, dass das den Kern der Leitbahn bildende Kupfer vollständig von der sich oberhalb des Kupferkerns erstreckenden Nickel-Gold-Schicht und einer daran anschließenden, sich unterhalb des Kupferkerns erstreckenden, aus einer Diffusionsbarriere und Keimschicht bestehenden Schicht umschlossen wird.
申请公布号 DE102004005361(A1) 申请公布日期 2005.09.01
申请号 DE200410005361 申请日期 2004.02.03
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AG 发明人 BRINTZINGER, AXEL;TROVARELLI, OCTAVIO
分类号 H01L21/44;H01L21/60;H01L21/768;H01L51/10;H05K1/09;H05K3/10;H05K3/24;H05K3/40;(IPC1-7):H01L21/60 主分类号 H01L21/44
代理机构 代理人
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