摘要 |
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von metallischen Leitbahnen und Kontaktflächen auf elektronischen Bauelementen mit Kupfer-Nickel-Gold-Schichtaufbau, wobei mittels einer ersten Resist-Maske aus positivem Resist der Kupferkern der Leitbahnen und Kontaktflächen galvanisch abgeschieden und mittels einer zweiten Resist-Maske der Kupferkern der Leitbahnen und Kontaktflächen von einer Nickel-Gold-Schicht umhüllt wird. Ihr liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren anzugeben, mit dem metallische Leitbahnen und Kontaktflächen auf verschiedenen elektronischen Bauelementen kostengünstig mit den bekannten und erprobten Verfahren herstellbar sind, welche die oben dargestellten Nachteile nicht aufweisen. Erfindungsgemäß wird die Aufgabe dadurch gelöst, dass die Leitbahnen und Kontaktflächen mittels zweier übereinander angeordneter Resist-Masken so hergestellt werden, dass das den Kern der Leitbahn bildende Kupfer vollständig von der sich oberhalb des Kupferkerns erstreckenden Nickel-Gold-Schicht und einer daran anschließenden, sich unterhalb des Kupferkerns erstreckenden, aus einer Diffusionsbarriere und Keimschicht bestehenden Schicht umschlossen wird.
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