发明名称 | 用于半导体处理等离子反应器的多部分电极以及替换多部分电极的一部分的方法 | ||
摘要 | 本发明涉及一种经改进的上电极系统,其具有一多部分电极,其中可独立于电极的外周边部分(114)来替换具有高磨损的电极的中心部分(110)。上电极可用于诸如通过蚀刻或CVD来处理半导体基板的等离子处理系统中。多部分上电极尤其适用于大尺寸晶圆处理腔室,诸如300mm晶圆处理腔室,市面上无用于其的单块电极出售或该等单块电极耗费昂贵。 | ||
申请公布号 | CN1663016A | 申请公布日期 | 2005.08.31 |
申请号 | CN03814065.9 | 申请日期 | 2003.05.23 |
申请人 | 蓝姆研究公司 | 发明人 | 安德烈亚斯·菲舍尔;威廉·S·肯尼迪;彼得·勒文哈尔特;戴维·特吕塞尔 |
分类号 | H01J37/32 | 主分类号 | H01J37/32 |
代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 王允方;刘国伟 |
主权项 | 1.一种用于一等离子反应腔室的多部分电极,其包含:一电极顶板;及一连接至该顶板的电极,该电极包括一中心硅元件和围绕该中心硅元件的复数个硅段,其中该硅元件可独立于该等硅段从该顶板移除。 | ||
地址 | 美国加利福尼亚州 |