| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法、电光学装置、电子机器 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体装置的制造方法。该方法是：在玻璃基板(10)上形成由多个的像素电路排列而成的薄膜电路的情况下，首先，在玻璃基板(10)上，以成为多个像素电路的排列间隔(P1)的自然数倍(在本图为1倍)的间隔，形成应成为半导体膜结晶化时的起点的多个的凹部(112)。然后，在形成了凹部(112)的基板(10)上形成非结晶的硅膜，通过对该硅膜进行热处理，使其结晶化，在以凹部(112)大致作为中心的范围内形成基本单结晶的硅膜。利用以各个的凹部(112)为大致中心而形成的各个基本单结晶的硅膜形成像素电路。从而，能够提高构成半导体装置的半导体元件的特性，并抑制其特性的不一致性。 | ||
| 申请公布号 | CN1217405C | 申请公布日期 | 2005.08.31 |
| 申请号 | CN03107529.0 | 申请日期 | 2003.03.26 |
| 申请人 | 精工爱普生株式会社 | 发明人 | 原弘幸;井上聪 |
| 分类号 | H01L21/84;H01L21/00;G02F1/133 | 主分类号 | H01L21/84 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 李香兰 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置的制造方法，制造具有通过在绝缘基板上排列配置多个包含薄膜元件的单元电路而成的薄膜电路的半导体装置，其特征是：包括，在所述绝缘基板上形成应成为半导体膜在结晶化时的起点的多个凹部的凹部形成工序，在形成了所述凹部的所述绝缘基板上形成半导体膜的半导体膜形成工序，利用热处理使所述半导体膜结晶化的热处理工序，在完成所述热处理后的所述半导体膜上形成所述薄膜电路的电路形成工序，以在所述单元电路的每一个中所包含的各薄膜元件的排列间隔的自然数倍的间隔形成所述多个凹部。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||