发明名称 | 防短路的绝缘栅极双极晶体管模块 | ||
摘要 | 一种通过压力接触的IGBT模块,它包括许多并联在一起的单独的芯片(4),其中还有一种层(7),该层使得短路很容易就能稳定。该层(7)可以为一种薄片,一种涂料或一种焊料成份,它与半导体芯片(4)的主电极(5,6)保持接触。典型地,该层(7)包含有银,且同半导体材料组成一种低共熔混合物,其熔点低于两种伙伴材料的熔点。 | ||
申请公布号 | CN1217409C | 申请公布日期 | 2005.08.31 |
申请号 | CN99120350.X | 申请日期 | 1999.09.22 |
申请人 | ABB瑞士有限公司 | 发明人 | T·朗;H·-R·策勒 |
分类号 | H01L23/48;H01L25/07 | 主分类号 | H01L23/48 |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 马铁良;张志醒 |
主权项 | 1.一种功率半导体模块,该功率半导体模块具有模块外壳(1),在所述模块外壳(1)中包括衬底(2)和至少两个半导体芯片(4),每一半导体芯片(4)具有接触支柱(3)和两个主电极(5,6),第一个主电极(5)与衬底(2)保持电接触,而第二个主电极(6)则与接触支柱(3)保持电接触,在一个主电极(5,6)与衬底(2)或接触支柱(3)之间提供一种导电层(7),其特征在于,所述半导体模块包括用于确保在一个半导体芯片(4)损坏的情况下使该所述半导体芯片(4)的两个主电极(5,6)之间稳定短路的装置,所述装置包括损坏的半导体芯片(4)的导电层(7),导电层(7)包含一种材料,该材料与半导体芯片(4)的材料一起组成一种化合物或合金,其熔点低于半导体芯片(4)的材料的熔点。 | ||
地址 | 瑞士巴登 |