发明名称 防短路的绝缘栅极双极晶体管模块
摘要 一种通过压力接触的IGBT模块,它包括许多并联在一起的单独的芯片(4),其中还有一种层(7),该层使得短路很容易就能稳定。该层(7)可以为一种薄片,一种涂料或一种焊料成份,它与半导体芯片(4)的主电极(5,6)保持接触。典型地,该层(7)包含有银,且同半导体材料组成一种低共熔混合物,其熔点低于两种伙伴材料的熔点。
申请公布号 CN1217409C 申请公布日期 2005.08.31
申请号 CN99120350.X 申请日期 1999.09.22
申请人 ABB瑞士有限公司 发明人 T·朗;H·-R·策勒
分类号 H01L23/48;H01L25/07 主分类号 H01L23/48
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 马铁良;张志醒
主权项 1.一种功率半导体模块,该功率半导体模块具有模块外壳(1),在所述模块外壳(1)中包括衬底(2)和至少两个半导体芯片(4),每一半导体芯片(4)具有接触支柱(3)和两个主电极(5,6),第一个主电极(5)与衬底(2)保持电接触,而第二个主电极(6)则与接触支柱(3)保持电接触,在一个主电极(5,6)与衬底(2)或接触支柱(3)之间提供一种导电层(7),其特征在于,所述半导体模块包括用于确保在一个半导体芯片(4)损坏的情况下使该所述半导体芯片(4)的两个主电极(5,6)之间稳定短路的装置,所述装置包括损坏的半导体芯片(4)的导电层(7),导电层(7)包含一种材料,该材料与半导体芯片(4)的材料一起组成一种化合物或合金,其熔点低于半导体芯片(4)的材料的熔点。
地址 瑞士巴登