| 主权项 |
1.一种含有附着性增进层之复合层,其包括:一下层,其为以沈积法形成之一介电层或一矽基板;一附着性增进层,其系由一末端具双官能基之化合物经旋涂方式而在该下层上形成;以及一上层,其为矽酸盐(silicate)成份之介电层,形成于该附着性增进层之上。2.如申请专利范围第1项所述之复合层,其中该末端具双官能基之化合物中之官能基系择自由氢氧基(hydroxy)、烷氧基(alkoxy)、烷氧基矽基(alkoxysilyl)、环氧基(epoxy)、含双键基团、及其组合所组成之族群中。3.如申请专利范围第2项所述之复合层,其中该末端具双官能基之化合物的末端具有一氢氧基。4.如申请专利范围第3项所述之复合层,其中该末端具双氢氧基之化合物为择自由末端具二氢氧基之化合物、和烷氧基矽基-氢氧基末端化化合物所组成之族群中。5.如申请专利范围第2项所述之复合层,其中该末端具双官能基之化合物的末端具有一烷氧基矽基。6.如申请专利范围第5项所述之复合层,其中该末端具双官能基之化合物的末端具有一烷氧基矽基和一环氧基。7.如申请专利范围第5项所述之复合层,其中该末端具双官能基之化合物的末端具有一烷氧基矽基和一含双键基团。8.如申请专利范围第7项所述之复合层,其中该含双键基团为乙烯基(vinyl, H2C=CH-)。9.如申请专利范围第7项所述之复合层,其中该含双键基团为丙烯醯基(acryl, H2C=CH-(C=O)-)。10.如申请专利范围第4项所述之复合层,其中该末端具烷氧基之化合物具有以下化学式:(R1O)aSi(OR2)bHc其中R1和R2为烷基,a为0至4之整数,b为0至4之整数,c为0至2之整数,a+b+c=4。11.一种形成复合层的方法,其包括:提供一下层,其为以沈积法形成之一介电层或一矽基板;以旋涂法在该下层上形成一附着性增进层,该附着性增进层之成份为一末端具双官能基之化合物;进行第一次烘烤(baking),使该末端具双官能基之化合物部分硬化(curing),而与该下层产生键结;在该附着性增进层上形成矽酸盐(silicate)成份之一上层;以及进行第二次烘烤,其温度较第一次烘烤为高,使该末端具双官能基之化合物完全硬化,而与该上层产生键结。12.如申请专利范围第11项所述之方法,其中该下层系以化学气相沈积法形成之介电层。13.如申请专利范围第11项所述之方法,其中该第一次烘烤系于温度150℃至250℃下进行。14.如申请专利范围第11项所述之方法,其中该第二次烘烤系于温度350℃至450℃下进行。15.如申请专利范围第11项所述之方法,其中该上层系以旋涂法形成。16.如申请专利范围第11项所述之方法,其中该末端具双官能基之化合物之末端官能基为相同,且为择自由氢氧基、烷氧基、烷氧基矽基、和环氧基所组成之族群中。17.如申请专利范围第16项所述之方法,其中在进行第一次烘烤时,使部分之末端官能基与该下层产生键结,而在进行第二次烘烤时,使残余之末端官能基与该上层产生键结。18.如申请专利范围第11项所述之方法,其中该末端具双官能基之化合物之末端官能基为不同,具有不同的反应性,且为择自由氢氧基、烷氧基、烷氧基矽基、和环氧基所组成之族群中。19.如申请专利范围第18项所述之方法,其中在进行第一次烘烤时,使反应性低的末端官能基与该下层产生键结,而在进行第二次烘烤时,使反应性高的末端官能基与该上层产生键结。20.如申请专利范围第11项所述之方法,其中该末端具双官能基之化合物之末端官能基包括不同之一第一官能基和一第二官能基,第一官能基为择自由氢氧基、烷氧基、烷氧基矽基、和环氧基所组成之族群中,第二官能基为一含双键基团。21.如申请专利范围第20项所述之方法,其中在进行第一次烘烤时,使部分之第一官能基与该下层产生键结,而在进行第二次烘烤时,使残余之第一官能基与该上层产生键结,且使第二官能基之双键进行聚合。图式简单说明:第1图显示依据本发明之第一较佳具体实施例,以Si(OCH3)4作为附着性增进层之成份时,其与上、下层之间键结情形的示意图。第2图显示依据本发明之第二较佳具体实施例,以末端具烷氧基矽基和环氧基的化合物作为附着性增进层之成份时,其与上、下层之间键结情形的示意图。第3图显示依据本发明之第三较佳具体实施例,以末端具烷氧基矽基和乙烯基的化合物作为附着性增进层之成份时,其与上、下层之间键结情形的示意图。 |
