| 主权项 |
1.一种非挥发性半导体记忆装置之制造方法,其包含有:具有复数个浮动闸电极、及形成于复数个浮动闸电极上并延伸于预定方向之控制闸电极,且将包含侧面之复数个积层体形成于半导体基板之主表面上的步骤;形成用以覆盖上述积层体,且具有与上述主表面大致平行之顶面之层间绝缘膜的步骤;在上述层间绝缘膜之顶面上形成遮罩层的步骤;藉由以上述遮罩层作为遮罩来选择性地蚀刻层间绝缘膜,并以位于相邻上述积层体之间的方式,而在层间绝缘膜上形成开口部的步骤;以及杂质离子从上述开口部植入上述主表面,以形成沿着复数个浮动闸电极而延伸之源极区域的步骤。2.如申请专利范围第1项之非挥发性半导体记忆装置之制造方法,其中,更包含有使上述源极区域之一部分金属化的步骤。3.如申请专利范围第1项之非挥发性半导体记忆装置之制造方法,其中,更包含有:在形成上述积层体之后、形成上述层间绝缘膜之前,形成绝缘膜用以覆盖上述复数个积层体之侧面与上述半导体基板之主表面的步骤;及回蚀上述绝缘膜,同时使覆盖上述积层体之侧面的上述绝缘膜残留下来以形成侧壁绝缘膜的步骤。4.一种非挥发性半导体记忆装置之制造方法,其包含有:具有复数个浮动闸电极、及形成于复数个浮动闸电极上并延伸于预定方向之控制闸电极,且将包含侧面之复数个积层体形成于半导体基板之主表面上的步骤;形成用以覆盖上述积层体之绝缘膜的步骤;藉由回蚀刻上述绝缘膜,以形成用以覆盖上述复数个积层体之侧面的侧壁绝缘膜之步骤;以及藉由以上述侧壁绝缘膜作为遮罩而对上述半导体基板植入杂质,以在上述半导体基板上之上述复数个积层体之间,形成沿着上述复数个浮动闸电极而延伸之源极区域的步骤。5.如申请专利范围第4项之非挥发性半导体记忆装置之制造方法,其中,更包含有在上述半导体基板上形成复数个隔离绝缘膜的步骤,而上述源极区域之一部分系形成于上述复数个隔离绝缘膜之间。6.如申请专利范围第4项之非挥发性半导体记忆装置之制造方法,其中,上述隔离绝缘膜系包含氧化膜,而上述侧壁绝缘膜系包含氮化膜。7.如申请专利范围第4项之非挥发性半导体记忆装置之制造方法,其中,更包含有以上述侧壁绝缘膜作为遮罩而使上述源极区域之一部分金属化的步骤。图式简单说明:第1图A及第1图B系本发明第1实施形态之非挥发性半导体记忆装置的平面图;第1图A系记忆单元区域之平面图;第1图B系周边电路区域之平面图。第2图A至第2图C系本发明第1实施形态之非挥发性半导体记忆装置的剖面图;第2图A系第1图B之IIA-IIA线的剖面图;第2图B系第1图A之IIB-IIB线的剖面图;第2图C系第1图A之IIC-IIC线的剖面图。第3图系第1图A之III-III线的剖面图。第4图系第1图A之IV-IV线的剖面图。第5图A至第25图C系显示第2图中所示之非挥发性半导体记忆装置之制造方法之第1至第21步骤的剖面图。第26图系第25图C之XXVI-XXVI线的剖面图。第27图A至第28图C系显示第2图中所示之非挥发性半导体记忆装置之制造方法之第22至第23步骤的剖面图。第29图A至第29图C系本发明第2实施形态之非挥发性半导体记忆装置的剖面图;第29图A所示之剖面系对应第2图A之剖面图;第29图B所示之剖面系对应第2图B之剖面图;第29图C所示之剖面系对应第2图C之剖面图。第30图A至第35图C系显示第29图A至第29图C所示的非挥发性半导体记忆装置之制造方法之第1至第6步骤的剖面图。第36图系第35图之XXXVI-XXXVI线的剖面图。第37图A至第38图C系显示第29图A至第29图C所示的非挥发性半导体记忆装置之制造方法之第7至第8步骤的剖面图。第39图A至第39图C系本发明第3实施形态之非挥发性半导体记忆装置的剖面图;且对应第2图A至第2图C之剖面图。第40图系本发明第3实施形态之非挥发性半导体记忆装置的剖面图;且对应第3图之剖面图。第41图系本发明第3实施形态之非挥发性半导体记忆装置的剖面图;且对应第4图之剖面图。第42图A至第42图C系本发明第4实施形态之非挥发性半导体记忆装置的剖面图;且对应第2图A至第2图C之剖面图。 |
