| 主权项 |
1.一种互补式金氧半导体影像感测器之制作方法,该制作方法包含有下列步骤:提供一上框以及一载板,且该载板表面包含有至少一导线图案、一影像感测晶片底座与至少一个的第一焊接垫;形成一平坦层于该载板之部分表面覆盖该导线图案以定义预定设置该上框的位置,并暴露出该影像感测晶片底座与该第一焊接垫;以及利用一黏着层将该上框固着于该载板表面并完全覆盖于该平坦层表面。2.如申请专利范围第1项所述互补式金氧半导体影像感测器之制作方法,其中该载板系为铜箔基板。3.如申请专利范围第1项所述互补式金氧半导体影像感测器之制作方法,其中该导线图案系利用印刷电路板制程形成于该载板表面。4.如申请专利范围第1项所述互补式金氧半导体影像感测器之制作方法,其中该平坦层系形成于部分之该导线图案上方且至少压覆于设置有该上框的位置以增加该载板表面之平坦性。5.如申请专利范围第1项所述互补式金氧半导体影像感测器之制作方法,其中该平坦层系选自抗焊阻剂、抗镀阻剂及抗蚀阻剂中之任一者,其功能为增加预定设置该上框之位置的平坦性。6.如申请专利范围第5项所述互补式金氧半导体影像感测器之制作方法,其中该抗焊阻剂系选自湿膜、乾膜、B阶段环氧树脂及背胶铜箔中之任一者。7.如申请专利范围第1项所述互补式金氧半导体影像感测器之制作方法,其中该上框系于该载板表面围住一中心区域。8.如申请专利范围第7项所述互补式金氧半导体影像感测器之制作方法,其中该中心区域内包含有该影像感测晶片底座与该第一焊接垫。9.如申请专利范围第1项所述互补式金氧半导体影像感测器之制作方法,其中该影像感测晶片底座与该第一焊接垫均与该导线图案同时利用印刷电路板制程形成于该载板表面。10.如申请专利范围第1项所述互补式金氧半导体影像感测器之制作方法,另包含以下步骤:将一影像感测晶片固着于该影像感测晶片底座表面,其中该影像感测晶片包含至少一个的第二焊接垫;利用至少一条接合线电连接该第一焊接垫与该第二焊接垫;以及固定一透明基板于该上框上方。11.如申请专利范围第10项所述互补式金氧半导体影像感测器之制作方法,其中该透明基板系为玻璃基板。12.如申请专利范围第10项所述互补式金氧半导体影像感测器之制作方法,另包含有一于真空状态下将该透明基板固定于该上框之上方的步骤。13.一种互补式金氧半导体影像感测器之制作方法,该制作方法包含有下列步骤:提供一上框以及一载板,且该载板表面包含有至少一导线图案、一影像感测晶片底座与至少一个的第一焊接垫;形成一平坦层于该载板之部分表面覆盖该导线图案以定义预定设置该上框的位置,并暴露出该影像感测晶片底座与该第一焊接垫;利用一黏着层将该上框固着于该载板表面并完全覆盖于该平坦层表面,且该上框系于该载板表面围住一中心区域,其中该中心区域内包含有该影像感测晶片底座与该第一焊接垫;将一影像感测晶片固着于该影像感测晶片底座表面,其中该影像感测晶片包含至少一个的第二焊接垫;利用至少一条接合线电连接该第一焊接垫与该第二焊接垫;以及固定一透明基板于该上框上方。14.如申请专利范围第13项所述互补式金氧半导体影像感测器之制作方法,其中该载板系为铜箔基板。15.如申请专利范围第13项所述互补式金氧半导体影像感测器之制作方法,其中该导线图案、该影像感测晶片底座与该第一焊接垫均利用印刷电路板制程同时形成于该载板表面。16.如申请专利范围第13项所述互补式金氧半导体影像感测器之制作方法,其中该平坦层系形成于部分之该导线图案上方且至少压覆于设置有该上框的位置以增加该载板表面之平坦性。17.如申请专利范围第13项所述互补式金氧半导体影像感测器之制作方法,其中该平坦层系选自抗焊阻剂、抗镀阻剂及抗蚀阻剂中之任一者,其功能为增加预定设置该上框之位置的平坦性。18.如申请专利范围第17项所述互补式金氧半导体影像感测器之制作方法,其中该抗焊阻剂系选自湿膜、乾膜、B阶段环氧树脂及背胶铜箔中之任一者。19.如申请专利范围第13项所述互补式金氧半导体影像感测器之制作方法,其中该透明基板系为玻璃基板。20.如申请专利范围第13项所述互补式金氧半导体影像感测器之制作方法,另包含有一于真空状态下将该透明基板固定于该上框之上方的步骤。图式简单说明:第1图至第3图为习知制作CMOS影像感测器之方法示意图。第4图至第8图为本发明制作CMOS影像感测器之方法示意图。 |
