发明名称 发光二极体结构
摘要 一种发光二极体结构,此结构包括半导体层、透明导电层、第一电极、第二电极以及透明保护层。其中,半导体层系位于基材,其例如系由一第一型掺杂半导体层、一第二型掺杂半导体层以及一发光层所构成。透明导电层系配置于半导体层上。第一电极系与第一型掺杂半导体层电性连接。第二电极系透过透明导电层与第二型掺杂半导体层电性连接。本发明之透明导电层或是透明保护层的表面为具有凹陷图案之微型粗糙表面,藉由此结构可提高其发光效率,且对发光二极体而言并不会造成电特性的改变。
申请公布号 TW200527705 申请公布日期 2005.08.16
申请号 TW093102468 申请日期 2004.02.04
申请人 元砷光电科技股份有限公司 发明人 许世昌;许进恭
分类号 H01L33/00 主分类号 H01L33/00
代理机构 代理人 詹铭文;萧锡清
主权项
地址 台南县新市乡台南科学工业园区大顺九路16号