形成于N-型基底上之互补式金氧半导体影像感测器CMOS IMAGE SENSOR FORMED ON AN N-TYPE SUBSTRATE

摘要

一种用于互补式金氧半导体(CMOS)影像感测器之像素感测器晶胞。上述晶胞包括一固定(pinned)光电二极体形成于一N型半导体基板之中所形成之一P井(Pwell)中。一传递电晶体(transfer transistor)位于上述固定光电二极体与一输出节点之间。一重置电晶体(reset transistor)耦合于一高电位(high voltage rail，Vdd)与输出节点之间。最后，提供一输出电晶体其闸极耦合至上述输出节点。