具有-二酮合配位基之金属错合物及含金属薄膜的制造方法

摘要

本发明系提供适用于利用CVD法制造金属薄膜之方法的新颖之β–二酮合金属错合物。其为下列式所示之金属错合物：093131152-p01.bmp〔式中，X为特定构造之矽烷基醚基；Y为该矽烷基醚基或烷基；Z为氢原子或烷基；M为Lu、Ir、Pd、Ni、V、Ti、Zr、Hf、Al、Ga、In、Sn、Pb、Zn、Mn、It、Cr、Mg、Co、Fe或Ag；n为金属原子M之价数〕。093131152-p01.bmp