发明名称 氮化铝材料
摘要 [课题] 提供热传导率高、且可能降低室温体积电阻率之氮化铝材料。[解决手段] 氮化铝材料系具有连续化的晶界相,且以这晶界相为导电相起作用。藉由X射线绕射分布用下式算出的导电相之含有比率在20%以下。(导电相之含有比率(%)=(导电相的最强线峰之积分强度/氮化铝相的最强线峰之积分强度)x100)。而且,对于用下述公式所定义的电场施加之电流回应性指数介于0.9-1.1(电流回应性指数=电场施加5秒后的电流值/电场施加60秒后的电流值)。
申请公布号 TWI237628 申请公布日期 2005.08.11
申请号 TW092101934 申请日期 2003.01.29
申请人 子股份有限公司 发明人 寺谷直美;吉川润;胜田佑司
分类号 C04B35/581;H01L21/00 主分类号 C04B35/581
代理机构 代理人 洪澄文 台北市大安区信义路4段279号3楼
主权项 1.一种氮化铝材料,具有连续化的晶界相,以这晶界 相为导电相起作用, 其特征在于: 藉由X射线绕射分布用下式算出的导电相之含有比 率在20%以下: 导电相之含有比率(%)=(导电相的最强线峰之积分 强度/氮化铝相的最强线峰之积分强度)x100;以及 其室温体积电阻率在施加直流电场500V/mm时为1012 cm以下。 2.一种氟化铝材料,具有连续化的晶界相,以这晶界 相为导电相起作用, 其特征在于: 对于用下述公式所定义的直流电场施加之电流回 应性指数介于0.9 ~1.1: 电流回应性指数=电场施加5秒后的电流値/电场施 加60秒后的电流値;以及 其室温体积电阻率在施加直流电场500V/mm时为1012 cm以下。 3.如申请专利范围第2项所述的氮化铝材料,其中, 藉由X射线绕射分布用下式算出的导电相之含有比 率在20%以下: 导电相之含有比率(%)=(导电相的最强线峰之积分 强度/氮化铝相的最强线峰之积分强度)x100。 4.一种氮化铝材料,具有连续化的晶界相,以这晶界 相为导电相起作用, 其特征在于: 施加直流电场V与电流I的关系式定为I=k(Va)(k为常 数,a系非线性系数)时,在V为50V/mm~500V/mm的范围中,a 的値在1.5以下;以及 其室温体积电阻率在施加直流电场500V/mm时为1012 cm以下。 5.如申请专利范围第4项所述的氮化铝材料,其中, 藉由X射线绕射分布用下式算出的导电相之含有比 率在20%以下: 导电相之含有比率(%)=(导电相的最强线峰之积分 强度/氮化铝相的最强线峰之积分强度)x100。 6.如申请专利范围第4项所述的氮化铝材料,其中, 用下述公式所定义的对于电场施加之电流回应性 指数介于0.9~1.1: 电流回应性指数=电场施加5秒后的电流値/电场施 加60秒后的电流値。 7.如申请专利范围第1、2、3、4、5或6项所述的氮 化铝材料,其中,前述导电相呈网状构造。 8.如申请专利范围第1、2、3、4、5或6项所述的氮 化铝材料,其中,前述导电相系以SmAl11O18为主体。 9.如申请专利范围第7项所述的氮化铝材料,其中, 前述导电相系以SmAl11O18为主体。 10.如申请专利范围第8项所述的氮化铝材料,其中, 藉由X射线绕射分布用下述公式算出的导电相之含 有比率在10%以下: 导电相的含有比率(%)=[I(SmAl11O18,2=18.8)/I(AlN,(101) )]x100 其中,I(SmAl11O18,2=18.8系2=18.8的峰之积分强度, 而I(AlN,(101)系氮化铝的(101)面之积分强度。 11.如申请专利范围第1、2、3、4、5或6项所述的氮 化铝材料,其中,前述导电相中含有镱。 12.如申请专利范围第7项所述的氮化铝材料,其中, 前述导电相中含有镱。 13.如申请专利范围第8项所述的氮化铝材料,其中, 前述导电相中含有镱。 14.如申请专利范围第10项所述的氮化铝材料,其中, 前述导电相中含有镱。 15.如申请专利范围第11项所述的氮化铝材料,其中, 氮化铝材料中镱的含有量相对于钐的含有量(Yb/Sm: 重量比)系在0.01~1。 16.如申请专利范围第1、2、3、4、5或6项所述的氮 化铝材料,其系构成一半导体制造用组件的至少一 部分。 17.如申请专利范围第7项所述的氮化铝材料,其系 构成一半导体制造用组件的至少一部分。 18.如申请专利范围第8项所述的氮化铝材料,其系 构成一半导体制造用组件的至少一部分。 19.如申请专利范围第11项所述的氮化铝材料,其系 构成一半导体制造用组件的至少一部分。 20.如申请专利范围第10项所述的氮化铝材料,其系 构成一半导体制造用组件的至少一部分。 21.如申请专利范围第14项所述的氮化铝材料,其系 构成一半导体制造用组件的至少一部分。 22.如申请专利范围第15项所述的氮化铝材料,其系 构成一半导体制造用组件的至少一部分。 23.如申请专利范围第16项所述的氮化铝材料,其中 前述半导体制造用组件包括由前述氮化铝材料构 成的基材及埋设于该基材中的金属组件。 24.如申请专利范围第23项所述的氮化铝材料,其中, 前述金属组件至少含有静电夹头电极。 图式简单说明: 第1图系显示比较例1的试料之电流回应性。 第2图系显示比较例2的试料之电流回应性。 第3图系显示比较例9的试料之电流回应性。 第4图系在比较例1中,显示电流値的施加直流电场 依存性及最小二乘法合算结果。 第5图系在实施例9中,显示电流値的施加直流电场 依存性及最小二乘法合算结果。 第6图系显示实施例1的试料之反射电子像。 第7图显示用与第6图同一视野之EPMA所得的各元素 之分析结果。 第8图系显示实施例7的试料之反射电子像。 第9图显示用与第8图同一视野之EPMA所得的各元素 之分析结果。 第10图系SmAl11O18的X射线之峰値分布。
地址 日本
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