发明名称 电子元件、显示元件及其制造方法
摘要 提供一种即使在一个像素中设置备用TFT也能抑制成品率降低的电子元件、显示元件及其制造方法(修正方法)。设置有源极线(2)、像素电极(8)、切换它们间电连接的第一TFT(5a)、以及备用的第二TFT(5b)。第二TFT(5b)包括形成有源极(4b)和漏极(4c)的半导体膜(4)、和隔着栅极绝缘膜(12)设在半导体膜(4)上的栅极(1b),源极线(2)相对第二TFT(5b)的半导体膜(4)隔着比栅极绝缘膜(12)更厚的层间绝缘膜(13)设置,且在第一TFT(5a)不能使用时,通过在层间绝缘膜(13)上形成接触孔可与源极(4b)电连接,源极线(2)和像素电极(8)间电连接可由第二TFT(5b)进行切换。
申请公布号 CN1651998A 申请公布日期 2005.08.10
申请号 CN200510007520.6 申请日期 2005.02.05
申请人 夏普株式会社 发明人 白木一郎;中岛睦;吉田圭介;安藤晶一;井上雅之
分类号 G02F1/1343;H01L29/786;G02F1/136;H01L21/00 主分类号 G02F1/1343
代理机构 北京纪凯知识产权代理有限公司 代理人 龙淳
主权项 1.一种电子元件,其特征在于,设置有信号供给部、信号接收部、切换该信号供给部和该信号接收部间的电连接的第一开关元件、以及备用的第二开关元件,所述第二开关元件具有形成有源极和漏极的半导体膜、和隔着栅极绝缘膜而设在该半导体膜上的栅极,所述信号供给部构成为相对所述第二开关元件的半导体膜隔着比所述栅极绝缘膜更厚的层间绝缘膜设置,并且可通过在该层间绝缘膜上形成接触孔与该半导体膜的源极电连接,所述信号接收部构成为相对所述第二开关元件的半导体膜,隔着比所述栅极绝缘膜更厚的层间绝缘膜设置,并且可通过在该层间绝缘膜上形成接触孔与该半导体膜的漏极电连接,在所述第一开关元件不能使用时,通过在所述层间绝缘膜上形成接触孔,由所述第二开关元件可进行所述信号供给部和所述信号接收部间的电连接的切换。
地址 日本大阪府